[發明專利]一種電子盤的多功能物理自毀和掉電保護方法及電路在審
| 申請號: | 201911252448.1 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN110782930A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 劉升;韓延良;唐偉 | 申請(專利權)人: | 西安奇維科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/24 | 分類號: | G11C7/24;H02J9/06 |
| 代理公司: | 61220 西安億諾專利代理有限公司 | 代理人: | 李永剛 |
| 地址: | 710077 陜西省西安市高新區興隆*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 儲能電容 存儲芯片 自毀電路 電子盤 自毀 能量控制單元 掉電保護 隔離電路 供電 觸發 電路 能量控制電路 自毀控制電路 多功能物理 瞬間大電流 掉電模式 掉電信號 隔離處理 工作模式 數據保護 智能切換 主機電源 自毀操作 自毀模式 自毀信號 可靠度 流輸出 儲能 輸出 中斷 | ||
1.一種電子盤的多功能物理自毀和掉電保護方法,其特征在于:電子盤系統供電單元給能量控制單元供電,經能量控制單元后分兩路輸出,其中一路經隔離電路后給存儲芯片供電;另一路給儲能電容供電;當掉電信號觸發時,儲能電容依次經能量控制單元和隔離電路給存儲芯片供電,完成掉電保護;當物理自毀信號觸發時,能量控制單元中斷向存儲芯片供電;同時儲能電容給物理自毀電路供電,經物理自毀電路向存儲芯片執行物理自毀操作,完成物理自毀。
2.根據權利要求1所述電子盤的多功能物理自毀和掉電保護方法,其特征在于:所述物理自毀操作的過程包括儲能電容通過物理自毀電路對存儲芯片進行高壓擊穿,然后超大電流快速放電,造成存儲芯片的永久性損壞。
3.根據權利要求2所述電子盤的多功能物理自毀和掉電保護方法,其特征在于:所述電子盤系統供電單元的電壓為5V。
4.根據權利要求3所述電子盤的多功能物理自毀和掉電保護方法,其特征在于:所述經能量控制單元后分兩路輸出,其中一路電壓為5V經電源管理模塊降壓至3.3V后再經隔離電路給存儲芯片供電;另一路升壓至28V后給儲能電容供電。
5.根據權利要求4所述電子盤的多功能物理自毀和掉電保護方法,其特征在于:所述儲能電容給能量控制單元供電時將28V將壓至5V。
6.一種電子盤的多功能物理自毀和掉電保護電路,包括電子盤系統供電電源、電源管理和存儲芯片;其特征在于:能量控制電路、儲能電容、物理自毀控制電路、物理自毀電路和隔離電路;所述電子盤系統供電電源、能量控制電路、電源管理、隔離電路和存儲芯片依次相電連接;所述電子盤系統供電電源與前述物理自毀控制電路相電連接;所述能量自毀控制電路分別與能量控制電路和物理自毀電路相電連接;所述能量控制電路與儲能電容相電連接;所述儲能電容經物理自毀電路與前述存儲芯片相電連接。
7.根據權利要求6所述電子盤的多功能物理自毀和掉電保護電路,其特征在于:所述電子盤系統供電電源與前述能量控制電路之間設置有濾波隔離電路。
8.根據權利要求7所述電子盤的多功能物理自毀和掉電保護電路,其特征在于:所述濾波隔離電路與前述存儲芯片相電連接;所述濾波隔離電路與存儲芯片之間設置有電子盤主控電路。
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