[發(fā)明專利]一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)及其制備工藝及光柵

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911249960.0
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN110927833B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛海央;楊宇東;楊帥;陳大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號: G02B1/118
• 分類號: G02B1/118
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 寇海俠

1.一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)，包括襯底，其特征在于，還包括設(shè)置于所述襯底至少一側(cè)表面的若干錐狀抗反射結(jié)構(gòu)，錐狀抗反射結(jié)構(gòu)的底部橫向尺寸為20～150nm，分布密度為3～20根/um²，若干錐狀抗反射結(jié)構(gòu)在不同高度范圍內(nèi)的數(shù)量百分比分布為：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干錐狀抗反射結(jié)構(gòu)在不同底部橫向尺寸范圍內(nèi)的數(shù)量百分比分布為：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干錐狀抗反射結(jié)構(gòu)在襯底上的密度分布為：

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，包括：

步驟一、在襯底上設(shè)置光刻膠層，加熱使光刻膠固定在襯底上形成掩膜層；

步驟二、采用等離子體轟擊光刻膠層形成納米纖維簇狀的掩膜層；

步驟三、采用刻蝕工藝對襯底進(jìn)行刻蝕處理，去除納米纖維簇狀的掩膜層形成具有錐狀抗反射結(jié)構(gòu)的襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，所述步驟一中，光刻膠層設(shè)置在襯底的正反兩面；光刻膠層的負(fù)載厚度為3～10μm；加熱的溫度為120℃，處理時(shí)間為20～40min。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，所述步驟二中，先采用等離子體轟擊光刻膠層使其形成納米纖維狀的結(jié)構(gòu)，再繼續(xù)用等離子體轟擊納米纖維狀的結(jié)構(gòu)使納米纖維聚集后形成納米纖維簇狀的掩膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，所述步驟二中，等離子體轟擊處理為采用氧等離子體、氬等離子體、氮等離子體中的任意一種等離子體進(jìn)行轟擊處理，或者其中的任意兩種等離子體交替轟擊處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，所述步驟二中形成納米纖維狀的結(jié)構(gòu)時(shí)采用的是氧等離子體處理工藝，其中，氧氣的流量為30～60sccm，腔體壓強(qiáng)為3～6Pa，時(shí)間為30～50min，整個(gè)轟擊過程保持腔體功率為180～220W；

所述步驟二中形成納米纖維簇狀的掩膜層時(shí)采用的是氬等離子體處理工藝，其中，氬氣的流量為10～30sccm，腔體壓強(qiáng)為1～3Pa，時(shí)間為50～80min，整個(gè)轟擊過程保持腔體功率為180～220W。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，所述刻蝕工藝為反應(yīng)離子刻蝕工藝或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕工藝；

在所述反應(yīng)離子刻蝕工藝中，反應(yīng)氣體包括混合量為3～8sccm的六氟化硫和混合量為20～50sccm的三氟甲烷，流量為120～180sccm，刻蝕時(shí)間為40s～600s，保護(hù)氣體為氦氣。

10.一種微納復(fù)合光柵結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～3任意一項(xiàng)所述的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)或者如權(quán)利要求4～9任意一項(xiàng)所述的工藝制備得到的一種寬光譜抗反射增透結(jié)構(gòu)。