[發(fā)明專利]一種磁場吸附輔助掩模蒸鍍微納結(jié)構(gòu)的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911248163.0
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN110923623A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張雪峰;張鑒
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州逸峰新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;C23C14/16;C23C14/58;B81C1/00
• 代理公司: 蘇州國卓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32331
• 代理人: 劉穎棋

1.一種磁場吸附輔助掩模蒸鍍微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，它包括以下步驟：a）利用丙酮和異丙醇清洗處理自支撐的氮化硅（或氧化硅）硅片，并用氮氣吹干；b）利用鍍膜技術(shù)，在自支撐硅片正面蒸鍍100~200 nm厚度的磁性金屬膜；c）利用聚焦離子束刻蝕，在自支撐硅片進行圖案化刻蝕，聚焦離子束刻蝕將把鍍膜后的自支撐硅片刻穿，形成鏤空掩模板；d）將鏤空掩模板正面貼于所需制備納米結(jié)構(gòu)的襯底上，并在襯底背面負(fù)載上磁鐵，利用磁鐵吸引，實現(xiàn)鏤空掩模板與襯底的緊密貼合；e）進行鍍膜，鍍膜結(jié)束后移開磁鐵和鏤空掩模板，實現(xiàn)襯底上的納米結(jié)構(gòu)制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁場吸附輔助掩模蒸鍍微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述鏤空掩模板表面含有100~200 nm厚度的磁性金屬膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁場吸附輔助掩模蒸鍍微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述鍍膜技術(shù)可為電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)、磁控濺射的一種，所述磁性金屬膜是指鎳、鈷、鐵等一種或者多種合金的磁性膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁場吸附輔助掩模蒸鍍微納結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述鏤空掩模板對外加磁場存在吸附響應(yīng)，可使鏤空掩模板會與襯底緊密貼合。