[發明專利]一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極及其制備方法

在審

• 申請號: 201911248080.1
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN111029418A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 朱鵬;楊貴忠;陳艷美
• 申請（專利權）人: 南通天盛新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極，所述的P型全鋁背場太陽能電池背面電極自上而下依次設置有背銀電極層、全鋁背場和P型晶體硅基體，所述的P型晶體硅基體和全鋁背場之間形成厚度為2～5μmBSF層，其特征在于：所述的背銀電極層為鏤空背銀電極層，所述的全鋁背場上均勻設置數條鏤空背銀電極層，相鄰兩個所述的鏤空背銀電極層之間的距離為0.5～3mm，所述的鏤空背銀電極層的鏤空率為10～40％，所述的鏤空背銀電極層的寬為0.6～2mm，高為3～8μm。

2.根據權利要求1所述的一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極，其特征在于：所述的鏤空背銀電極層上設置數個鏤空孔，所述的鏤空孔的形狀為圓形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形或者不規則形狀中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極，其特征在于：所述的鏤空孔為邊長為0.1～0.4mm的正方形。

4.根據權利要求2所述的一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極，其特征在于：所述的鏤空孔為長為1～2mm，寬為0.1～0.4mm的長方形。

5.根據權利要求2所述的一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極，其特征在于：所述的鏤空孔均勻設置在所述的背銀電極層上，相鄰兩個所述的鏤空孔之間的距離為0.3～0.5mm。

6.根據權利要求1所述的一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極，其特征在于：所述的鏤空背銀電極層的一端到距離最近一排所述的鏤空孔的距離為0.5～1mm。

7.一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極的制備方法，取P型晶體硅基體進行兩面制絨，然后在所述的P型晶體硅基體的正面進行擴散形成N型發射級，然后在所述的P型晶體硅基體上印刷正面電極和背面電極，其特征在于：所述的P型全鋁背場太陽能電池背面電極的制備方法具體步驟如下：

步驟S1全鋁背場的印刷：在所述P型晶體硅基體背面上印刷鋁漿于150～250℃烘干2.5～3.5min，即得到全鋁背場；

步驟S2背銀電極層的印刷：在步驟S1所述全鋁背場上通過絲網印刷背面銀漿，然后將印刷好的銀漿于150～250℃烘干1～2min，于700～800℃下燒結1～10s，即得所述的P型全鋁背場太陽能電池背面電極，所述的全鋁背場的厚度為15～25μm。

8.根據權利要求7所述的一種P型全鋁背場太陽能電池背面電極的制備方法，其特征在于：所述的背面銀漿按重量份計，其制備原料包括20～40份的高活性銀粉、2～70份的銀鉍合金粉、5～30份的鉍粉、1～10份的玻璃粉和20～30份有機載體。