[發明專利]有機發光顯示裝置以及有機發光顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201911247984.2 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN111384115A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 百永錫;金喜娜;樸商鎮;崔泰赫;韓美貞 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜長星;全振永 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 以及 制造 方法 | ||
本發明提供一種有機發光顯示裝置以及有機發光顯示裝置的制造方法。該有機發光顯示裝置可以包括:基板,包括開口區域、圍繞開口區域的周圍區域以及圍繞周圍區域的顯示區域,并且具有形成在開口區域的開口;絕緣層結構物,布置在基板上的顯示區域和周圍區域;發光層,在所述顯示區域布置在絕緣層結構物上,沿作為從顯示區域向周圍區域的方向的第一方向延伸,并且在周圍區域具有第一開口;以及光學模塊,布置在開口。據此,有機發光顯示裝置可以容易地阻斷水分、濕氣等從周圍區域向顯示區域的半導體元件和結構物滲透。
技術領域
本發明涉及有機發光顯示裝置以及有機發光顯示裝置的制造方法。更詳細地,本發明涉及包括布置在顯示區域的一部分的光學模塊的有機發光顯示裝置以及包括布置在顯示區域的一部分的光學模塊的有機發光顯示裝置的制造方法。
背景技術
平板顯示裝置由于輕和薄等特性而正在被用作替代陰極射線管顯示裝置的顯示裝置。這種平板顯示裝置的代表性示例有液晶顯示裝置和有機發光顯示裝置。
所述有機發光顯示裝置可以包括顯示圖像的顯示區域和布置有柵極驅動部、數據驅動部、布線、光學模塊(例如,相機模塊、操作感測傳感器等)等的非顯示區域。近來,正在開發在所述顯示區域的一部分形成開口而在所述開口布置光學模塊的有機發光顯示裝置。并且,在布置有所述光學模塊的部分的外廓可以形成有阻斷有可能滲透到所述光學模塊和相鄰的顯示區域的水分、濕氣等的阻斷圖案。然而,存在由于外部沖擊或者制造工程過程中的壓力而使所述阻斷圖案容易損傷的問題。如果所述阻斷圖案被損傷,則有可能發生包括于有機發光顯示裝置的像素的不良。
發明內容
本發明的一目的在于提供一種包括布置在顯示區域的一部分的光學模塊的有機發光顯示裝置。
本發明的另一目的在于提供一種包括布置在顯示區域的一部分的光學模塊的有機發光顯示裝置的制造方法。
然而,本發明并不限于上述目的,可以在不脫離本發明的思想和領域的范圍內進行多種擴張。
為了達到前述的本發明的一目的,根據本發明的示例性實施例的一種有機發光顯示裝置可以包括:基板,包括開口區域、圍繞所述開口區域的周圍區域以及圍繞所述周圍區域的顯示區域,并且具有形成在所述開口區域的開口;絕緣層結構物,布置在所述基板上的所述顯示區域和所述周圍區域;發光層,在所述顯示區域布置在所述絕緣層結構物上,沿作為從所述顯示區域向所述周圍區域的方向的第一方向延伸,并且在所述周圍區域具有第一開口;以及光學模塊,布置在所述開口。
在示例性實施例中,所述絕緣層結構物可以包括形成在所述周圍區域的第一凹槽。
在示例性實施例中,所述發光層的一部分可以布置在所述第一凹槽內,所述第一開口可以位于所述第一凹槽的內部。
在示例性實施例中,所述絕緣層結構物可以包括:柵極絕緣層,布置在所述基板上,并在所述周圍區域具有開口;以及層間絕緣層,布置在所述柵極絕緣層上,并且在所述周圍區域具有與所述柵極絕緣層的開口重疊的開口。
在示例性實施例中,所述絕緣層結構物還可以包括:緩沖層,夾設在所述基板和所述柵極絕緣層之間,所述柵極絕緣層的所述開口和所述層間絕緣層的所述開口被限定為所述絕緣層結構物的所述第一凹槽。
在示例性實施例中,還可以包括:第一無機薄膜封裝層,在所述發光層上與所述發光層重疊而布置,填充所述第一開口,并在所述周圍區域覆蓋所述發光層;以及第二無機薄膜封裝層,在所述第一無機薄膜封裝層上與所述第一無機薄膜封裝層重疊而布置,并在所述周圍區域覆蓋所述第一無機薄膜封裝層,所述第一無機薄膜封裝層可以通過所述第一開口與所述緩沖層接觸。
在示例性實施例中,可以包括:上部電極,在所述發光層上與所述發光層重疊而布置。
在示例性實施例中,所述上部電極可以具有與所述第一開口重疊的第二開口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





