[發明專利]一種多芯片脈沖尾纖激光器組件在審
| 申請號: | 201911245606.0 | 申請日: | 2019-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN111129956A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 范隆泉;米全林 | 申請(專利權)人: | 武漢高躍科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01S5/40 | 分類號: | H01S5/40 |
| 代理公司: | 武漢紅觀專利代理事務所(普通合伙) 42247 | 代理人: | 張文俊 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區流芳大道52號*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 脈沖 激光器 組件 | ||
本發明提供了一種多芯片脈沖尾纖激光器組件,包括第一雙芯片激光器單元、第二雙芯片激光器單元、復合鏡筒、自聚焦透鏡和光纖組件,第一雙芯片激光器單元和第二雙芯片激光器單元均與復合鏡筒固定連接,第一雙芯片激光器單元的激光通路上依次設置有復合鏡筒、自聚焦透鏡和光纖組件,自聚焦透鏡和光纖組件均相對固定設置在復合鏡筒遠離第一雙芯片激光器單元的一端;第二雙芯片激光器單元的激光通路與第一雙芯片激光器單元的激光通路垂直設置;第一雙芯片激光器單元和第二雙芯片激光器單元發出的激光經過復合鏡筒復合成一束光線后耦合進入光纖組件中。
技術領域
本發明涉及半導體激光器設備技術領域,尤其涉及一種多芯片脈沖尾纖激光器組件。
背景技術
大功率半導體激光器具有高可靠性和高穩定性,已廣泛應用于光存儲、光通訊、國防、工業和醫療等領域,其輸出激光波長為635—1653nm,功率可調范圍大。在大多數應用環境中,大功率激光器的可靠性是一個決定性因素,直接關系到激光器的品質。
常見的半導體激光器TO封裝結構的出光管帽的出光側自帶聚焦透鏡,可以對其發出的激光進行聚焦后向外射出。半導體激光器的輸出端通常需要與光纖進行耦合,是在半導體激光器出光一側設置同軸的光纖,使得激光發出的光耦合進光纖中。現在激光器大多采用的是單芯片的激光器,單芯片激光器的輸出功率比較小,導致器件整體存在出光功率小的不足。
發明內容
有鑒于此,本發明提出了一種采用多芯片耦合提高輸出功率的多芯片脈沖尾纖激光器組件。
本發明的技術方案是這樣實現的:本發明提供了一種多芯片脈沖尾纖激光器組件,包括第一雙芯片激光器單元(1)、第二雙芯片激光器單元(2)、復合鏡筒(3)、自聚焦透鏡(4)和光纖組件(5),第一雙芯片激光器單元(1)和第二雙芯片激光器單元(2)均與復合鏡筒(3)固定連接,所述第一雙芯片激光器單元(1)的激光通路上依次設置有復合鏡筒(3)、自聚焦透鏡(4)和光纖組件(5),自聚焦透鏡(4)和光纖組件(5)均相對固定設置在復合鏡筒(3)遠離第一雙芯片激光器單元(1)的一端;第二雙芯片激光器單元(2)的激光通路與第一雙芯片激光器單元(1)的激光通路垂直設置;第一雙芯片激光器單元(1)和第二雙芯片激光器單元(2)發出的激光均依次經過復合鏡筒(3)和自聚焦透鏡(4)復合成一束光線后耦合進入光纖組件(5)中。
在以上技術方案的基礎上,優選的,所述復合鏡筒(3)內設置有復合激光的合束鏡片(31),合束鏡片(31)嵌設在復合鏡筒(3)內部;第一雙芯片激光器單元(1)發出的激光透射合束鏡片(31)后進入自聚焦透鏡(4)中,第二雙芯片激光器單元(2)發出的激光經過合束鏡片(31)折射后進入自聚焦透鏡(4)中。
進一步優選的,所述合束鏡片(31)的中心與第一雙芯片激光器單元(1)和第二雙芯片激光器單元(2)的激光通路的交點重合,第一雙芯片激光器單元(1)到合束鏡片(31)的中心的距離與第二雙芯片激光器單元(2)到合束鏡片(31)的中心的距離不相等。
更進一步優選的,所述第二雙芯片激光器單元(2)與復合鏡筒(3)之間還設置有環形套管(20),環形套管(20)分別與第二雙芯片激光器單元(2)和復合鏡筒(3)固定連接。
在以上技術方案的基礎上,優選的,所述第一雙芯片激光器單元(1)和第二雙芯片激光器單元(2)的結構完全相同。
進一步優選的,所述第一雙芯片激光器單元(1)包括TO底座(11)、過渡熱沉(12)、正裝芯片(13)、倒裝芯片(14)、整形透鏡(15)和TO管帽(16),TO底座(11)與復合鏡筒(3)的位置相對固定,TO管帽(16)環繞TO底座(11)設置;TO管帽(16)與TO底座(11)合圍形成第一內腔(10),過渡熱沉(12)、正裝芯片(13)、倒裝芯片(14)和整形透鏡(15)均位于第一內腔(10)內;
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