[發明專利]一種具有保護RAM數據功能的電路

有效

• 申請號: 201911245308.1
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN110941324B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 李英志
• 申請（專利權）人: 哈爾濱新中新電子股份有限公司
• 主分類號: G06F1/30
• 分類號: G06F1/30;G06F12/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有保護RAM數據功能的電路，其特征在于，包括RAM模塊、主控制模塊、信號保護電路、以及電池充放限流電路；

所述的主控制模塊用于檢測所述RAM模塊的工作狀態及RAM電路的供電電壓，并根據檢測結果控制其輸出給信號保護電路的控制IO信號；

所述的信號保護電路與所述的主控制模塊和所述的RAM模塊相連接，用于保持RAM模塊控制信號處于穩定狀態，以及根據所述的控制IO信號選擇所述RAM模塊的供電電路；

所述的電池充放限流電路與所述的信號保護電路和和所述的RAM模塊相連接，用于在RAM模塊采用備用電池供電時，使所述的備用電池維持最小電流供電；

所述的電池充放限流電路包括：備用電池B2、電阻R24、電容C33、電阻R45、三極管Q8、電阻R46以及電容C32；

所述的備用電池B2的正極連接電阻R24的一端、負極與電容C33的一端連接電源地，電容C33的另一端同時連接電阻R24的另一端、三極管Q8的集電極和電阻R45的一端，電阻R45的另一端同時連接三極管Q8的基極和電阻R46的一端，電阻R46的另一端與電容C32的一端同時連接電源地，電容C32的另一端連接三極管Q8的發射極，且連接點作為RAM模塊的備用電源。

2.根據權利要求1所述的具有保護RAM數據功能的電路，其特征在于，所述的信號保護電路包括：電阻R30、三極管Q4、電阻R9、電阻R44、三極管Q7、場效應管Q5、場效應管Q6、電阻R42及電阻R10；

所述電阻R30的一端連接主控制模塊的控制IO信號輸出端、另一端連接三極管Q4的基極，所述三極管Q4的發射集連接3.3V電源、集電極同時連接電阻R9的一端和電阻R44的一端，所述電阻R44的另一端連接三極管Q7的基極，所述三極管Q7的發射集與電阻R9的另一端連接電源地，三極管Q7的集電極同時連接場效應管Q5的柵極、場效應管Q6的柵極以及電阻R10的一端，場效應管Q5的源極用于接收來自主控制模塊的CPLD的控制信號、漏極連接電阻R42的一端，并且同時作為RAM模塊控制信號輸出端，場效應管Q6的源極連接3.3V電源，場效應管Q6的漏極同時連接電阻R42的另一端和電阻R10的另一端，且連接點作為RAM模塊的主電源。

3.根據權利要求1所述的具有保護RAM數據功能的電路，其特征在于，所述的電池充放限流電路還包括充電電路D4，所述備用電池B2為可充電電池，當RAM模塊采用主電源供電時，所述的充電電路D4用于為所述備用電池B2充電。

4.根據權利要求3所述的具有保護RAM數據功能的電路，其特征在于，所述的充電電路D4由兩個同向并聯的二極管組成；

所述充電電路D4的陰極連接三極管Q8的集電極、陽極連接三極管Q8的發射極。