[發(fā)明專利]硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911244884.4
• 申請(qǐng)日: 2019-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN110928013B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范純圣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豪威半導(dǎo)體（上海）有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G02F1/1333
• 分類號(hào): G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1335
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供了一種硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶顯示面板，所述硅基液晶器件包括：襯底；至少兩個(gè)像素電極，排布于所述襯底上，且相鄰兩個(gè)所述像素電極的側(cè)壁的頂部相對(duì)于底部靠攏；以及，絕緣阻隔層，位于所述襯底上并填充于相鄰兩個(gè)所述像素電極的側(cè)壁之間，以使得相鄰兩個(gè)所述像素電極通過所述絕緣阻隔層相隔離。本發(fā)明的技術(shù)方案使得硅基液晶器件能夠避免雜光反射進(jìn)入到硅基液晶光學(xué)系統(tǒng)中，進(jìn)而避免降低影像的對(duì)比度，且使得光反射率得到提高，進(jìn)而使得硅基液晶顯示面板的顯示效果得到提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶顯示面板。

背景技術(shù)

硅基液晶(Liquid Crystal on silicon，LCOS)顯示面板是一種反射式液晶微型面板，其是采用半導(dǎo)體硅晶技術(shù)控制液晶進(jìn)而“投射”彩色畫面，具有光利用效率高、體積小、開口率高、制造技術(shù)成熟等特點(diǎn)，其可以很容易實(shí)現(xiàn)高分辨率和充分的色彩表現(xiàn)。

硅基液晶顯示面板通常包括硅基液晶器件和透明蓋板，硅基液晶器件和透明蓋板之間通過框膠粘合在一起，并將液晶材料封裝在內(nèi)。其中，硅基液晶器件的結(jié)構(gòu)和性能對(duì)硅基液晶顯示面板的性能具有很大的影響。參閱圖1，圖1是硅基液晶器件的俯視示意圖，從圖1中可看出，硅基液晶器件包含周期性排列的多個(gè)像素電極11，且各個(gè)像素電極11之間通過外圍環(huán)繞的間隙12隔離開。現(xiàn)有的硅基液晶器件一般包括襯底、多個(gè)像素電極、絕緣阻隔層、絕緣鈍化層和配向?qū)樱渲校袼仉姌O和絕緣阻隔層形成于襯底上，且絕緣阻隔層填充于相鄰兩個(gè)像素電極之間的間隙中，以將像素電極隔離開；絕緣鈍化層和配向?qū)右来胃采w于像素電極和絕緣阻隔層上。

其中，在形成像素電極于襯底上的過程中，由于受到刻蝕工藝的影響，使得相鄰兩個(gè)像素電極之間的間隙的頂部寬度大于底部寬度，這樣就會(huì)導(dǎo)致當(dāng)光線進(jìn)入間隙中的絕緣阻隔層并到達(dá)間隙側(cè)壁上的像素電極的表面后，光線發(fā)生反射，進(jìn)而導(dǎo)致雜光向上反射進(jìn)入到硅基液晶光學(xué)系統(tǒng)中，從而導(dǎo)致影像的對(duì)比度降低，影響硅基液晶顯示面板的顯示效果。

因此，如何對(duì)現(xiàn)有的硅基液晶器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，以避免雜光反射進(jìn)入到硅基液晶光學(xué)系統(tǒng)中，進(jìn)而避免降低影像的對(duì)比度是目前亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶顯示面板，使得能夠避免雜光反射進(jìn)入到硅基液晶光學(xué)系統(tǒng)中，進(jìn)而避免降低影像的對(duì)比度，且使得光反射率得到提高，進(jìn)而使得硅基液晶顯示面板的顯示效果得到提升。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種硅基液晶器件，包括：

襯底；

至少兩個(gè)像素電極，排布于所述襯底上，且相鄰兩個(gè)所述像素電極的側(cè)壁的頂部相對(duì)于底部靠攏，每個(gè)所述像素電極的側(cè)壁是傾斜設(shè)置的，且相鄰兩個(gè)所述像素電極的側(cè)壁之間的距離從頂部至底部逐漸增大；以及，

絕緣阻隔層，位于所述襯底上并填充于相鄰兩個(gè)所述像素電極的側(cè)壁之間，以使得相鄰兩個(gè)所述像素電極通過所述絕緣阻隔層相隔離。

可選的，所述硅基液晶器件還包括：電介質(zhì)層，形成于所述像素電極和所述襯底之間。

可選的，所述絕緣阻隔層的頂面和所述像素電極的頂面齊平，所述硅基液晶器件還包括：絕緣鈍化層和配向?qū)樱来胃采w于所述絕緣阻隔層和所述像素電極上。

本發(fā)明還提供了一種硅基液晶器件的制造方法，包括：

提供一襯底；

形成圖形化的絕緣阻隔層于所述襯底上，所述圖形化的絕緣阻隔層中形成有至少兩個(gè)用于形成像素電極的開口，且所述開口的頂部寬度大于底部寬度；