[發明專利]一種芯片封裝結構的制作方法

在審

• 申請號: 201911243801.X
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN111029262A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 王全龍;曹立強
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 宋傲男

1.一種芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供載片并在其上鍵合具有窗口的介質層；

在所述介質層背離所述載片的一側貼裝第一芯片，使所述第一芯片的裸露單元與所述窗口的位置對應，在所述第一芯片的第一芯片焊盤處連接第一導電組件；

在所述介質層背離所述載片的一側貼裝第二芯片，在所述第二芯片的第二芯片焊盤處連接第二導電組件和第三導電組件，使所述第一芯片和第二芯片通過所述第一導電組件和第二導電組件電連接；

制作包封所述第一芯片、第二芯片、第一導電組件、第二導電組件和第三導電組件的塑封體；

在所述塑封體上制作重布線層，使所述第二芯片通過所述第三導電組件與所述重布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在所述載片上鍵合介質層后，開設所述窗口。

3.根據權利要求1或2所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述介質層中設置第一導電轉移線，

所述第一導電組件為連接所述第一芯片和所述第一導電轉移線的第一導電凸塊，所述第二導電組件為連接所述第二芯片和所述第一導電轉移線的第二導電凸塊；

或者，所述第一導電組件為連接所述第一芯片和所述第一導電轉移線的第一導電凸塊，以及連接所述第一導電轉移線和所述重布線層的第一導電件，所述第二導電組件為連接所述第二芯片和所述重布線層的第二導電凸塊；

或者，所述第一導電組件為連接所述第一芯片和所述重布線層的第一導電凸塊，以及連接所述重布線層和所述第一導電轉移線的第一導電件，所述第二導電組件為連接所述第二芯片和所述第一導電轉移線的第二導電凸塊。

4.根據權利要求1-3任一所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述介質層中設置第二導電轉移線，

所述第三導電組件為連接所述第二芯片和所述第二導電轉移線的第三導電凸塊，以及連接所述第二導電轉移線和所述重布線層的第二導電件。

5.根據權利要求1-4任一所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述介質層上圍繞所述窗口的周緣制作阻隔層。

6.根據權利要求1或2所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述第一導電組件為第一導電凸塊，所述第二導電組件為第二導電凸塊，所述第三導電組件為第三導電凸塊，所述第一導電凸塊和第二導電凸塊通過重布線層電連接，所述第三導電凸塊與重布線層電連接。

7.根據權利要求1-6任一所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述第一芯片的第一芯片焊盤處連接第四導電組件，使所述第一芯片通過所述第四導電組件與所述重布線層電連接。

8.根據權利要求1-7任一所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述重布線層制作完成后解鍵合去除所述載片。

9.根據權利要求1-8任一所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括：所述重布線層制作完成后，在所述重布線層上制作外接焊球。

10.根據權利要求1-9任一所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述第一芯片為光芯片，所述裸露單元為光學接口，所述第二芯片為電芯片。