[發明專利]基于弱增益耦合DFB激光器的寬帶混沌激光器芯片

有效

• 申請號: 201911243193.2
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN111129948B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 王安幫;賀培鑫;趙彤;賈志偉;郭園園;王龍生;王云才
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/12;H01S5/065;H01S5/40
• 代理公司: 太原晉科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14110
• 代理人: 任林芳

1.一種基于弱增益耦合DFB激光器的寬帶混沌激光器芯片，包括第一弱增益耦合DFB激光區（13）、第二弱增益耦合DFB激光區（15）和增益區（14），第一弱增益耦合DFB激光區（13）和第二弱增益耦合DFB激光區（15）進行互注入，增益區（14）位于第一弱增益耦合DFB激光區（13）和第二弱增益耦合DFB激光區（15）中間，其特征在于：所述第一弱增益耦合DFB激光區（13）和第二弱增益耦合DFB激光區（15）的脊波導的兩側均獨立蒸鍍驅動正電極（10），在第一弱增益耦合DFB激光區（13）和第二弱增益耦合DFB激光區（15）的脊波導的同一側的InP蓋層（6）與InGaAsP波導層（5）之間蒸鍍四個溫度電極（12），其中兩個溫度電極（12）分別位于兩個DFB激光區遠離增益區（14）的端部，其余兩個溫度電極（12）位于增益區（14）與兩個DFB激光區的連接處，位于端部的兩個溫度電極（12）分別與相鄰的溫度電極（12）之間設置溫控電阻（11）；

所述寬帶混沌激光器芯片輸出的混沌激光光譜線寬在0.4~0.8nm范圍內連續可調。

2.根據權利要求1所述的基于弱增益耦合DFB激光器的寬帶混沌激光器芯片，其特征在于：所述第一弱增益耦合DFB激光區（13）、第二弱增益耦合DFB激光區（15）和增益區（14）生長在同一Inp襯底（2）上。