[發明專利]半導體器件和用于生產半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201911240162.1
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN111293115A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: R·魏斯;R·亨施;A·馬哈茂德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L27/098;H01L27/12;H01L21/8238;H01L21/8232
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種方法，包括：

在載體(200)的頂部上形成層堆疊體，所述層堆疊體具有第一摻雜類型的多個第一層(110)和與所述第一摻雜類型互補的第二摻雜類型的多個第二層(120)，其中

形成所述層堆疊體包括在所述載體(200)上形成多個外延層(140_n)，并且

形成所述多個外延層(140_n)中的每一個包括：沉積半導體材料層，在相應的所述半導體材料層的不同垂直位置處形成第一類型或第二類型之一的至少兩個第一注入區域(111)，以及形成至少一個第二注入區域(121)，所述第二注入區域(121)的類型與所述第一注入區域的類型互補，其中，交替地布置所述第一注入區域(111)和所述第二注入區域(121)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個外延層(140_n)中的每一個包括第一數量的第一注入區域(111)和第二數量的第二注入區域(121)，其中

所述第一數量不同于所述第二數量；或者

所述第一數量等于所述第二數量。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其中

形成所述第一類型的注入區域包括注入第一類型的離子；并且

形成所述第二類型的注入區域包括注入第二類型的離子。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括加熱在其中形成有所述注入區域(111，121)的所述外延層(140_n)，從而使所注入的離子擴散并形成所述第一層和所述第二層(110，120)。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中

相同的所述外延層(140_n)內的不同的第一半導體層(110)具有不同的厚度(x₁₁，x₁₂)，所述厚度朝向所述層堆疊體的頂部減??；并且

相同的所述外延層(140_n)內的不同的第二半導體層(120)具有不同的厚度(x₂₁，x₂₂)，所述厚度朝向所述層堆疊體的頂部減小。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，不同的外延層(140_n)的相應的第一層和第二層(110，120)具有相應的厚度(x₁₁，x₁₂，x₂₁，x₂₂)，使得所述層堆疊體內的兩個或更多個連續的外延層(140_n)形成第一層和第二層(110，120)的重復圖案。

7.根據權利要求3至6中任一項所述的方法，其中

以第一劑量注入所述第一類型的離子；并且

以第二劑量注入所述第二類型的離子。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，以下各項的至少其中之一：

所述第一劑量選自1.0E12cm^-2到4.0E12cm^-2之間的范圍；并且

所述第二劑量選自1.0E12cm^-2到4.0E12cm^-2之間的范圍。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，以下各項的至少其中之一：

所述第一層(110)包括硼；并且

所述第二層(120)包括磷。

10.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中

使用不同的注入能量在單個外延層(140_n)內形成不同的第一注入區域(111)；并且

使用不同的注入能量在單個外延層(140_n)內形成不同的第二注入區域(121)。