[發明專利]陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201911236152.0
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN110928088A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 唐維
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本發明提供一種陣列基板及顯示面板，所述陣列基板包括：基板、介電層、公共電極層、鈍化層、像素電極以及第三金屬層。與傳統的結構相比，移除了無機絕緣層的機構，將觸控走線的第三金屬層設于鈍化層的上方，通過在鈍化層上開凹槽與公共電極層的連接(鈍化層開孔并不影響原流程)，進而減小了掩膜板的數量，進而減小制作成本。并且第三金屬層與所述像素電極同層設置，彼此之間設有間隙，互不影響雙方的工作。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其是涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(LCD-TFT)生產制造中，針對內嵌式觸控液晶顯示面板(ITP:In-Cell Touch Panel)產品，薄膜晶體管側常規膜層架構如圖1所示，PLN及設于PLN下方的膜層→M3層→無機絕緣層(IL)→BITO→PV→TITO；由源漏極層連接像素電極(TITO)，第三金屬層(M3)連接公共電極(BITO)，其中第三金屬層為觸控走線，公共電極制作觸控傳感器。

為降低成本，簡化工藝，面板行業一直致力于通過設計變更減小掩膜板使用數量；掩膜板費用昂貴，是產品開發中占比相對較大的一筆費用；另外，減少一層掩膜板使用，可相應減少對應層別的陣列基板的制程(成膜/曝光/蝕刻/剝離)，從另一個層面上提高產能，降低成本。

因此，本發明提供一種新的陣列基板，用以減少制備時所需的掩膜板，進而降低制備的成本。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種陣列基板及顯示面板，與傳統的結構相比，移除了無機絕緣層的機構，將觸控走線的第三金屬層設于鈍化層的上方，進而減小了掩膜板的數量，進而減小制作成本。

為了可以達到上述目的，提供一種陣列基板，包括：基板，基板中設有一遮光層；介電層，設于所述基板上，所述介電層中設有薄膜晶體管；公共電極層，設于所述介電層上，所述公共電極層具有一通孔；鈍化層，設于所述公共電極層以及對應所述通孔的介電層上；像素電極，設于所述鈍化層上且對應所述通孔，所述像素電極電性連接所述薄膜晶體管；第三金屬層，設于所述鈍化層上且與所述像素電極具有一間隙，所述第三金屬層連接所述公共電極層。

進一步地，所述介電層包括：柵極絕緣層，設于所述基板上；層間絕緣層，設于所述柵極絕緣層上；平坦化層，設于所述層間絕緣層上。

進一步地，所述薄膜晶體管包括：有源層，設于所述柵極絕緣層中且對應所述遮光層；柵極，設于所述層間絕緣層中且對應所述有源層；源漏極金屬層，設于所述平坦化層中且連接所述有源層。

進一步地，所述像素電極連接所述源漏極金屬層。

進一步地，所述鈍化層具有第一凹槽，所述第一凹槽對應所述通孔，所述第一凹槽向下延伸至所述源漏極金屬層的表面，所述像素電極通過所述第一凹槽連接所述源漏極金屬層。

進一步地，所述鈍化層還具有第二凹槽，所述第二凹槽對應所述第三金屬層，所述第二凹槽向下延伸至所述公共電極層的表面，所述第三金屬層通過所述第二凹槽連接所述公共電極層。

進一步地，所述源漏極金屬層包括源極走線以及漏級走線，所述源極走線以及所述漏級走線分別連接所述有源層。

進一步地，所述像素電極連接所述源極走線。

進一步地，所述遮光層的材料包括非晶硅。

本發明還提供一種顯示面板，包括前文所述的陣列基板。

本發明的有益效果是：本發明提供一種陣列基板及顯示面板，與傳統的結構相比，移除了無機絕緣層的機構，將觸控走線的第三金屬層設于鈍化層的上方，通過在鈍化層上開凹槽與公共電極層的連接(鈍化層開孔并不影響原流程)，進而減小了掩膜板的數量，進而減小制作成本。并且第三金屬層與所述像素電極同層設置，彼此之間設有間隙，互不影響雙方的工作。

附圖說明