[發明專利]一種高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路

在審

• 申請號: 201911234034.6
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN110825152A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 劉錫鋒;陸建恩;王津飛
• 申請（專利權）人: 江蘇信息職業技術學院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 王玉梅;查俊奎

1.一種高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路，其特征在于，包括啟動電路、飽和電流產生電路、亞閾電流產生電路、級聯PTAT電路和PTAT電壓調整管；啟動電路作用于飽和電流產生電路，飽和電流產生電路用于產生穩定飽和電流；飽和電流產生電路產生的MOS飽和電流提供給后繼的亞閾電流產生電路，亞閾電流產生電路用于產生亞閾電流；產生的亞閾電流提供給級聯PTAT電路和PTAT電壓調整管，以獲得正溫度系數電壓；

還包括bc短接的pnp三極管，該三極管用于產生負溫度系數電壓；

正溫度系數電壓和負溫度系數電壓加權求和在輸出端得到0溫度系數輸出電壓。

2.根據權利要求1所述的高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路，其特征在于，所述亞閾電流產生電路包括普通MOS管M14和高壓MOS管M17，普通MOS管M14柵漏短接，普通MOS管M14和高壓MOS管M17共柵極，普通MOS管M14和高壓MOS管M17源極接地，普通MOS管M14中流入由飽和電流產生電路產生的恒定電流Isat，在高壓MOS管M17產生亞閾電流。

3.根據權利要求1所述的高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路，其特征在于，啟動電路包括三個MOS 管M1、M2和M3，其中M3 為源、漏均接地的 N 型 MOS 管充當電容使用。

4.根據權利要求1所述的高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路，其特征在于，啟動電路與飽和電流產生電路之間還設有用于產生偏置電壓的偏置電路，偏置電路包括MOS 管M4、M5和三極管Q1，M4和M5均柵漏短接作為有源電阻，三極管Q1基集短接，偏置電路通過MOS 管M4、M5和三極管Q1一起分壓來獲取偏置電壓。

5.根據權利要求1所述的高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路，其特征在于，飽和電流產生電路包括MOS 管M6 到 M13 以及三極管Q2、Q3，用于產生一個不 隨電源電壓變化的恒定飽和電流。

6.根據權利要求1所述的高工藝穩定性的亞閾帶隙基準源電路，其特征在于，級聯PTAT 電壓電路包括M16 到 M26 和Q4，M16 到 M26構成的三級級聯 PTAT 電壓電路，M16、M18、M21、M24 為 電流鏡電路，M27 為調整管，Q4 為基集短接做二極管使用的 PNP 三極管。