[發(fā)明專利]輻射環(huán)境下雙極型晶體管正向電流增益退化模型的構(gòu)建方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911233071.5
• 申請日: 2019-12-05
• 公開（公告）號: CN111046546B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫亞賓;王昌鋒;田明;李小進(jìn);石艷玲;廖端泉;曹永峰
• 申請（專利權(quán)）人: 華東師范大學(xué);上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;H01L29/73
• 代理公司: 上海藍(lán)迪專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種輻射環(huán)境下雙極型晶體管正向電流增益退化模型的構(gòu)建方法，其特征在于，該方法包括以下具體步驟：

步驟1：基于大注入條件發(fā)射極電流得到由發(fā)射區(qū)注入至基區(qū)的少數(shù)載流子濃度n_E大注入條件下發(fā)射區(qū)注入至基區(qū)的載流子濃度分布遠(yuǎn)大于中性基區(qū)濃度，在設(shè)定由發(fā)射極注入的載流子滿足線性分布的條件下，得到發(fā)射區(qū)注入至基區(qū)的載流子濃度n_E；

步驟2：獲得基極電流和電流增益的分布

大注入條件下，忽略空間電荷區(qū)及界面處的復(fù)合電流，基極電流由向集電區(qū)反向注入的空穴電流I_B1以及在中性基區(qū)內(nèi)的中性基區(qū)復(fù)合電流I_B3構(gòu)成，在設(shè)定集電極電流近似等于發(fā)射極電流的條件下，獲得正向電流增益的分布；

步驟3：輻射環(huán)境正向電流增益退化模型的建立

通過輻射環(huán)境下基區(qū)少數(shù)載流子壽命的退化，獲得正向電流增益及損傷模型，待確定參數(shù)采用非線性函數(shù)擬合的形式獲得；

步驟4：模型驗證

利用重離子輻射模擬空間輻射環(huán)境，實(shí)際測量不同劑量下正向電流增益損傷因子DF隨偏壓VBE的變化，然后基于步驟3所建立的模型計算模型值與實(shí)測值之間的相對偏差，比較模型值及實(shí)測值的差異。