[發(fā)明專利]發(fā)光二極管顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911228327.3 | 申請日： | 2019-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN111384293B | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸文鎬;高承孝 | 申請（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H10K50/856 | 分類號： | H10K50/856;H10K50/82;H10K59/131;H10K59/38 |
| 代理公司： | 北京市集佳律師事務(wù)所 16095 | 代理人： | 唐明英 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種發(fā)光二極管顯示裝置，包括：
顯示基板，其具有多個子像素區(qū)域；和
發(fā)光二極管，其設(shè)置在所述顯示基板上以對應(yīng)于所述多個子像素區(qū)域中的對應(yīng)子像素區(qū)域，
其中，所述發(fā)光二極管包括發(fā)光區(qū)域和圍繞所述發(fā)光區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域，
其中，所述發(fā)光二極管包括溝槽部分，所述溝槽部分被設(shè)置成與所述發(fā)光區(qū)域與所述非發(fā)光區(qū)域之間的邊界交疊，以及
其中，所述溝槽部分被配置成使得從所發(fā)光區(qū)域發(fā)射的側(cè)光在所述發(fā)光二極管顯示裝置的顯示方向上被反射，
其中，所述溝槽部分包括底側(cè)和比所述底側(cè)寬的頂側(cè)，并且
其中，所述顯示方向?qū)?yīng)于從所述底側(cè)朝所述頂側(cè)的方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述發(fā)光區(qū)域和所述非發(fā)光區(qū)域中的每個均包括發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述發(fā)光層包括：
第一半導(dǎo)體層；
有源層，其設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；以及
第二半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述有源層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述發(fā)光二極管還包括：
第一電極，其電連接至所述第二半導(dǎo)體層以與所述發(fā)光區(qū)域交疊；和
第二電極，其電連接至所述第一半導(dǎo)體層以與所述非發(fā)光區(qū)域交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第二電極覆蓋所述溝槽部分的底表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一電極是透明電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第二電極是包括反射金屬的反射電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述溝槽部分通過去除所述第二半導(dǎo)體層和所述有源層中的每一個來形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述溝槽部分通過進一步去除所述第一半導(dǎo)體層的至少一部分來形成。
10.一種發(fā)光二極管顯示裝置，包括：
顯示基板，其具有多個子像素區(qū)域；和
發(fā)光二極管，其設(shè)置在所述顯示基板上，其中，所述發(fā)光二極管包括發(fā)光區(qū)域和圍繞所述發(fā)光區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域，
其中，所述發(fā)光二極管包括：
所述發(fā)光區(qū)域中的第一臺面部分；
與所述第一臺面部分間隔開特定間隔的第二臺面部分；以及
所述第一臺面部分與所述第二臺面部分之間的溝槽部分，
其中，所述溝槽部分包括底側(cè)和比所述底側(cè)寬的頂側(cè)，并且
其中，所述發(fā)光二極管顯示裝置的顯示方向?qū)?yīng)于從所述底側(cè)朝所述頂側(cè)的方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，
所述第一臺面部分具有通過所述溝槽部分隔離的島形，并且
所述第二臺面部分具有圍繞所述第一臺面部分的分隔壁形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一臺面部分和所述第二臺面部分中的每一個包括：
第一半導(dǎo)體層；
有源層，其設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；以及
第二半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述有源層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述溝槽部分通過去除所述第二半導(dǎo)體層和所述有源層中的每一個來形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述溝槽部分通過進一步去除所述第一半導(dǎo)體層的至少一部分來形成。
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