[發明專利]一種膜厚樣片及膜厚樣片的制備方法

有效

• 申請號: 201911226757.1
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN111024017B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 韓志國;梁法國;李鎖印;馬春雷;趙琳;馮亞南;許曉青
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01B21/04
• 分類號: G01B21/04;G01B11/06
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發明適用于儀器校準技術領域，提供了一種膜厚樣片及膜厚樣片的制備方法，所述膜厚樣片包括：樣片載體和至少兩個樣片本體，其中，各樣片本體的薄膜厚度和/或薄膜類型不同，所述樣片載體上開設有凹槽，各樣片本體襯底朝下鑲嵌在所述凹槽內，所述樣片載體上設有用于指示各樣片本體的薄膜厚度和薄膜類型的樣片標識。本發明能夠在對橢偏儀進行校準時，可以直接移動樣片載體實現不同樣片本體的替換，而無需取出樣片、更換樣片，從而增加了校準時的便捷程度，提高了對橢偏儀校準的效率。

技術領域

本發明屬于儀器校準技術領域，尤其涉及一種膜厚樣片及膜厚樣片的制備方法。

背景技術

光譜型橢偏儀是半導體和微電子領域使用最廣泛的薄膜厚度測量儀器，為了保證光譜型橢偏儀測量結果的準確性，需要在橢偏儀進行測量之前，利用一系列薄膜厚度已知的膜厚標準樣片對橢偏儀的薄膜厚度測量能力進行校準，膜厚標準樣片包括襯底和生長在在襯底的上的二氧化碳或碳化硅薄膜。

在利用一些列薄膜厚度和薄膜類型已知的膜厚標準樣片對橢偏儀的薄膜厚度測量能力進行校準時，根據橢偏儀對不同薄膜厚度和薄膜類型的測量能力，需頻繁更換不同的膜厚標準樣片對橢偏儀進行較準，導致橢偏儀校準的效率較低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種膜厚樣片及膜厚樣片的制備方法，旨在解決對橢偏儀校準的效率較低的問題。

本發明實施例的第一方面提供了一種膜厚樣片，所述膜厚樣片包括：

樣片載體和至少兩個樣片本體，其中，各樣片本體的薄膜厚度和/或薄膜類型不同；

所述樣片載體上開設有凹槽，各樣片本體襯底朝下鑲嵌在所述凹槽內；

所述樣片載體上設有用于指示各樣片本體的薄膜厚度和薄膜類型的樣片標識。

可選的，所述凹槽的深度和所述樣片本體的襯底的厚度相等。

可選的，所述凹槽、所述樣片本體和所述樣片標識一一對應。

本發明實施例的第二方面提供了一種膜厚樣片的制備方法，所述制備方法包括：

制備至少兩個樣片本體，其中，各樣片本體的薄膜厚度和/或薄膜類型不同；

在樣片載體上刻蝕凹槽和樣片標識，其中，所述樣片標識用于指示各樣片本體的薄膜厚度和薄膜類型；

按照所述樣片標識，將所述各樣片本體襯底朝下鑲嵌在所述凹槽內。

可選的，所述制備至少兩個樣片本體包括：

制備至少兩個基準樣片本體；

將各基準樣片本體的襯底減薄，得到至少兩個樣片本體。

可選的，在將各基準樣片本體的襯底減薄之后，還包括：

基于預設的橫截面積，分別將減薄后的各基準樣片本體進行切割，并對切割后的基準樣片本體進行擴膜；

相應的，所述得到至少兩個樣片本體包括：

得到至少兩個樣片本體，其中，所述各樣片本體的橫截面積為預設的橫截面積。

可選的，所述在樣片載體上刻蝕凹槽和樣片標識包括：

在樣片載體上刻蝕凹槽和樣片標識，其中，所述凹槽的深度和所述各樣片本體的襯底的厚度相同。

可選的，所述在樣片載體上刻蝕凹槽和樣片標識包括：

在樣片載體上刻蝕凹槽和樣片標識，其中，所述凹槽、所述樣片本體和所述樣片標識一一對應。

可選的，所述按照所述樣片標識，將所述各樣片本體襯底朝下鑲嵌在所述凹槽內包括：