[發(fā)明專利]一種電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器及制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911221380.0 | 申請日： | 2019-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN110943271A | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樊亞仙;徐蘭蘭;劉歡;薛九零;陶智勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工程大學(xué) |
| 主分類號： | H01P1/20 | 分類號： | H01P1/20;H01P11/00;G02F1/13 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電場 調(diào)控 雙通道 赫茲 濾波器 制作方法 | ||
1.一種電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器，包括5段不同結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)，其特征在于：第一周期起伏波導(dǎo)A1，第二周期起伏波導(dǎo)A2，第三周期起伏波導(dǎo)A3，第一圓柱形直波導(dǎo)B1，第二圓柱形直波導(dǎo)B2，五個波導(dǎo)的連接方式為：A1粗端口—B1—A2細(xì)端口—A2粗端口—B2—A3細(xì)端口；周期起伏波導(dǎo)A1、A2和A3的半徑起伏系數(shù)不同，即它們的粗半徑和細(xì)半徑不相同，第一圓柱形直波導(dǎo)B1的半徑與第一周期起伏波導(dǎo)A1的粗端口半徑相同，第二圓柱形直波導(dǎo)B2與第二周期起伏波導(dǎo)A2的粗端口半徑相同，第一圓柱形直波導(dǎo)B1和第二圓柱形直波導(dǎo)B2的長度相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器，其特征在于：所述電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器的波導(dǎo)管壁由三層物質(zhì)組成，包括聚四氟乙烯PTFE基底內(nèi)部的弧形帶有微孔的雙層石墨烯電極層，聚四氟乙烯PTFE基底層，和在聚四氟乙烯PTFE基底外表面涂覆的金層或銀層或鋁層作為波導(dǎo)外管壁，波導(dǎo)管內(nèi)填充有E7型液晶。
3.一種權(quán)利要求1或2所述的電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)使用MEMS深度光刻工藝在高密度聚乙烯上加工出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以作為基底；
(2)利用CVD方法制作的帶有微孔的雙層石墨烯轉(zhuǎn)移到高密度聚乙烯基底上；
(3)在石墨烯上涂一層聚四氟乙烯；
(4)利用MEMS深度光刻工藝在聚四氟乙烯上加工出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；
(5)利用X-LIGA工藝在上述結(jié)構(gòu)的聚四氟乙烯基底的外表面涂覆金層作為波導(dǎo)管壁；
(6)加熱的方法除去高密度聚乙烯；
(7)將波導(dǎo)芯內(nèi)填充上E7型液晶，再利用聚四氟乙烯將波導(dǎo)兩個端口密封住。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的種電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器的制作方法，其特征是：所述步驟（3）中的聚四氟乙烯，其厚度不低于1μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的種電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器的制作方法，其特征是：所述步驟（4）中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其厚度為1μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的種電場調(diào)控的雙通道太赫茲濾波器的制作方法，其特征是：所述步驟（5）中的金層波導(dǎo)管壁，其厚度為1μm。
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