[發(fā)明專利]集成感測(cè)的AM-EWOD陣列元件電路和感測(cè)液滴融合的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911216986.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111250179B | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 本杰明·詹姆斯·哈德文;奧利弗·詹姆斯·比爾德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 夏普生命科學(xué)(歐洲)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00;G01N27/06 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 英國(guó)阿克*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 am ewod 陣列 元件 電路 感測(cè)液滴 融合 方法 | ||
1.一種有源矩陣介質(zhì)上電潤(rùn)濕AM-EWOD器件的操作方法,
其中,所述AM-EWOD器件包括以行和列的陣列布置的多個(gè)陣列元件,所述陣列元件中的每一個(gè)包括陣列元件電路和陣列元件電極;并且
其中,每個(gè)陣列元件的陣列元件電路包括致動(dòng)電路和阻抗傳感器電路,所述致動(dòng)電路被配置成向所述陣列元件電極施加致動(dòng)電壓以用于致動(dòng)所述陣列元件,所述阻抗傳感器電路被集成到所述陣列元件電路中并被配置成感測(cè)所述陣列元件電極處的相鄰陣列元件電極之間的阻抗,所述阻抗傳感器電路包括傳感器電容器和傳感器讀出晶體管,所述傳感器讀出晶體管輸出用于感測(cè)的輸出電流;
所述操作方法包括以下步驟:
對(duì)施加到第一陣列元件的陣列元件電極的電壓進(jìn)行擾動(dòng);
將電壓擾動(dòng)耦合到與所述第一陣列元件相鄰的第二陣列元件的陣列元件電極;以及
測(cè)量來(lái)自所述第二陣列元件的傳感器讀出晶體管的輸出電流,以響應(yīng)于所述電壓擾動(dòng)而進(jìn)行感測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,每個(gè)陣列元件的陣列元件電路還包括連接到所述陣列元件電極的存儲(chǔ)電容器,并且所述電壓擾動(dòng)包括對(duì)輸入至所述第一陣列元件的存儲(chǔ)電容器的電壓進(jìn)行擾動(dòng),所述第一陣列元件的存儲(chǔ)電容器耦合到所述第一陣列元件的陣列元件電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的操作方法,其中,經(jīng)由行尋址線來(lái)施加對(duì)所述存儲(chǔ)電容器的輸入。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的操作方法,其中,經(jīng)由列尋址線來(lái)施加對(duì)所述存儲(chǔ)電容器的輸入。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述電壓擾動(dòng)包括對(duì)輸入至所述第一陣列元件的驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓進(jìn)行擾動(dòng),所述第一陣列元件的驅(qū)動(dòng)晶體管耦合到所述第一陣列元件的陣列元件電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述陣列元件電路還包括與連接到所述陣列元件電極的驅(qū)動(dòng)晶體管不同的第二晶體管,并且所述電壓擾動(dòng)包括對(duì)輸入至所述第一陣列元件的第二晶體管的電壓進(jìn)行擾動(dòng),所述第一陣列元件的第二晶體管耦合到所述第一陣列元件的陣列元件電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,還包括:在對(duì)施加到所述第一陣列元件的陣列元件電極的電壓進(jìn)行擾動(dòng)之前,將所述第二陣列元件的傳感器讀出晶體管的柵極處的電壓重置到初始化電壓,所述初始化電壓使所述第二陣列元件的傳感器讀出晶體管斷開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述電壓擾動(dòng)通過(guò)所述第二陣列元件的傳感器電容器從所述第二陣列元件的陣列元件電極耦合到所述第二陣列元件的傳感器讀出晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述第一陣列元件和所述第二陣列元件在不同的行中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述第一陣列元件和所述第二陣列元件在不同的列中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述第一陣列元件和所述第二陣列元件是所述陣列內(nèi)的相鄰陣列元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,其中,所述第一陣列元件和所述第二陣列元件是所述陣列內(nèi)的不相鄰陣列元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,包括:
對(duì)施加到多個(gè)第一陣列元件的陣列元件電極的電壓進(jìn)行擾動(dòng);
將電壓擾動(dòng)耦合到與所述多個(gè)第一陣列元件不同的第二陣列元件的陣列元件電極;并且
測(cè)量來(lái)自所述第二陣列元件的傳感器讀出晶體管的輸出電流,以響應(yīng)于所述電壓擾動(dòng)而進(jìn)行感測(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操作方法,還包括:基于測(cè)量到的輸出電流來(lái)確定極性液滴是否跨越所述第一陣列元件與所述第二陣列元件之間的間隙。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于夏普生命科學(xué)(歐洲)有限公司,未經(jīng)夏普生命科學(xué)(歐洲)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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