[發(fā)明專利]一種光電探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911216102.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN111081807A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李京波;周勁澍;魏鐘鳴;霍能杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/102
• 分類號(hào): H01L31/102;H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0256
• 代理公司: 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器依次包括襯底、聚酰亞胺層、二碲化鉬單層和聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)層，在所述二碲化鉬單層的邊緣制作源電極和漏電極，在聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)層上制作柵電極制得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述聚酰亞胺的層厚度為1.2～1.7μm；所述聚聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)層的厚度為290～310nm；所述二碲化鉬單層的厚度為0.6～1nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述襯底為硅或石英。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述源電極和漏電極的電極材料為鉻金合金，所述柵電極的電極材料為鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器的探測(cè)波長(zhǎng)為360nm～12μm。

6.一種根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟：

S1.在襯底上旋涂氨酸溶液，勻膠，并在150～155℃退火，制備聚酰亞胺層；

S2.采用機(jī)械剝離法用膠帶反復(fù)重疊，按壓，撕剝二碲化鉬晶體，再將膠帶置于干凈的硅片上，按壓后撕下，在硅片上制作二碲化鉬單層；

S3.將PMMA層旋涂在二維二碲化鉬單層上，在80～85℃烘干，然后將硅片置于去離子水中，剝離下PMMA層，將二碲化鉬單層移到載玻片上，將載玻片置于S1步驟中得到聚亞酰胺層上，將二碲化鉬單層轉(zhuǎn)移到聚亞酰胺層上；

S4.在二碲化鉬單層邊緣制作源電極和漏電極；

S5.將源電極、漏電極和二碲化鉬層的上面勻膠聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)層；然后在聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)層上制作柵極電極，制得光電探測(cè)器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述勻膠的速率為8000～10000轉(zhuǎn)/秒，所述氨酸溶液的濃度為15～20wt％，所述勻膠的時(shí)間為60～70秒，所述退火的時(shí)間為1～2h。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述旋涂的速率為8000～10000轉(zhuǎn)/秒，所述烘干的時(shí)間為1～2h。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述PMMA層的厚度為0.5～1mm。

10.權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電探測(cè)器在紅外成像或夜景照相機(jī)領(lǐng)域中的應(yīng)用。