[發(fā)明專利]一種降低三五族半導(dǎo)體器件寄生電容的方法及三五族半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911215121.7
• 申請日: 2019-12-02
• 公開（公告）號: CN112993018A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何偉志;吳俊鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 吳俊鵬;陳紀(jì)宇
• 主分類號: H01L29/20
• 分類號: H01L29/20;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 董科

1.一種三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括:

襯底，具有源極區(qū)及漏極區(qū)；

源極，設(shè)置于所述襯底且對應(yīng)于所述源極區(qū)；

漏極，設(shè)置于所述襯底且對應(yīng)于所述漏極區(qū)；

柵極，設(shè)置于所述源極及所述漏極之間；

第一保護層，具有第一凹槽及第二凹槽分別設(shè)置在所述源極及所述漏極上，且覆蓋部分所述襯底，且于所述柵極及所述源極與所述漏極之間的所述襯底上沒有覆蓋所述第一保護層；

第二保護層，設(shè)置在位于所述漏極的所述第一保護層的側(cè)壁上，且所述側(cè)壁相鄰于所述柵極；以及

場板結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一凹槽及設(shè)置于所述第二凹槽內(nèi)并覆蓋位于所述源極及所述漏極上的部分所述第一保護層，且在所述源極上的所述場板結(jié)構(gòu)延伸并覆蓋在所述第二保護層上以及覆蓋在相鄰所述第二保護層的部分所述第一保護層，其中在所述源極區(qū)上的所述第一保護層、所述場板結(jié)構(gòu)及所述第一保護層環(huán)繞所述柵極，且所述場板結(jié)構(gòu)與所述柵極之間具有空隙。

2.如權(quán)利要求1所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一保護層及第二保護層可以是硅氧化物、硅氮化物或是聚并環(huán)丁烯高分子材料。

3.如權(quán)利要求1所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二保護層的厚度等于第一保護層的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述場板結(jié)構(gòu)與所述柵極之間的所述空隙的介電常數(shù)為1。

5.一種三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括:

襯底；

柵極，設(shè)置在所述襯底上；

第一保護層，覆蓋在部份所述襯底的表面及覆蓋在所述柵極的側(cè)壁及頂面上；

第一場板，覆蓋在所述襯底的所述表面及覆蓋在所述柵極的所述側(cè)壁的所述第一保護層，且所述第一場板具有第一凹槽以暴露出在所述柵極上的所述第一保護層；

第二保護層，覆蓋在所述第一場板及部分所述第一保護層上并具有第二凹槽設(shè)置于所述柵極的所述頂面上，且所述第二凹槽對應(yīng)于所述第一凹槽以暴露出在所述柵極的所述頂面上的所述第一保護層；

第二場板，覆蓋在所述第二保護層且具有第三凹槽同時對應(yīng)所述第二凹槽及所述第一凹槽以暴露出在所述柵極的所述頂面上的所述第一保護層；

第三保護層，覆蓋在所述第二場板上且與所述第二保護層連接并具有第四凹槽設(shè)置在所述柵極的所述頂面上，且所述第四凹槽對應(yīng)于所述第三凹槽、所述第二凹槽及所述第一凹槽以暴露出在所述柵極的所述頂面上的所述第一保護層；及

第三場板，覆蓋在部分所述第三保護層上及在所述第二保護層與所述第三保護層連接結(jié)構(gòu)之間，且所述第三場板具有第五凹槽同時對應(yīng)所述第四凹槽、所述第三凹槽、所述第二凹槽及所述第一凹槽以暴露出在所述柵極的所述頂面上的所述第一保護層，使得對應(yīng)于所述柵極上由所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽、所述第四凹槽及所述第五凹槽形成深溝槽結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一保護層為硅氮化物層。

7.如權(quán)利要求5所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二保護層為硅氧化物層。

8.一種三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括:

襯底，具有源極區(qū)及漏極區(qū)；

阻障層，設(shè)置在所述襯底上且具有第一凹槽；

源極，設(shè)置于所述阻障層上且在對應(yīng)于所述源極區(qū)的位置；

漏極，設(shè)置于所述阻障層上且在對應(yīng)于所述漏極區(qū)的位置；

保護層，覆蓋于所述阻障層的表面、所述源極及所述漏極且具有第二凹槽對應(yīng)所述第一凹槽，且所述第二凹槽的開口小于所述第一凹槽，使得所述第二凹槽覆蓋部分所述第一凹槽并暴露出所述阻障層的部分表面；及

柵極，設(shè)置在所述第二凹槽及覆蓋在所述第二凹槽及所述第一凹槽所暴露的所述阻障層的部分表面，使得在所述第一凹槽內(nèi)的柵極與相鄰的所述阻障層之間具有空隙。

9.如權(quán)利要求8所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述保護層為硅氮化物。

10.如權(quán)利要求8所述的三五族半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第一凹槽內(nèi)的柵極與相鄰的所述阻障層之間的所述空隙的介電常數(shù)為1。