[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體激光元件及半導(dǎo)體激光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911208715.5 | 申請日： | 2019-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN111490455B | 公開（公告）日： | 2023-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 野口哲寬;谷善彥;谷本佳美;津田有三 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/22 | 分類號： | H01S5/22;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人： | 郝家歡 |
| 地址： | 日本國大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 激光 元件 裝置 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，包括：
基板；
第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其形成在所述基板上；
發(fā)光層，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之上；
第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述發(fā)光層之上；
脊部，其為條狀，且設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
導(dǎo)電性氧化物層，其以覆蓋所述脊部的上表面與所述脊部的兩個側(cè)面的一部分的方式設(shè)置；
電介質(zhì)層，其以覆蓋所述導(dǎo)電性氧化物層的一部分的方式設(shè)置；以及
第一金屬層，其以覆蓋所述導(dǎo)電性氧化物層與所述電介質(zhì)層的方式設(shè)置，
所述導(dǎo)電性氧化物層中的層疊于所述脊部的上表面的部分具有自所述電介質(zhì)層露出的露出部，所述露出部被所述第一金屬層覆蓋，
所述導(dǎo)電性氧化物層以覆蓋所述脊部的上表面、所述脊部的兩個側(cè)面以及位于所述脊部的下端兩側(cè)的至少一側(cè)的所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分的方式設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，
所述導(dǎo)電性氧化物層以覆蓋所述脊部的側(cè)面的一半以上的方式設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，
所述導(dǎo)電性氧化物層以覆蓋所有所述脊部的上表面與所述脊部的兩個側(cè)面的方式設(shè)置。
4.一種氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，包括：
基板；
第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其形成在所述基板上；
發(fā)光層，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之上；
第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述發(fā)光層之上；
脊部，其為條狀，且設(shè)置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
導(dǎo)電性氧化物層，其以覆蓋所述脊部的上表面與所述脊部的兩個側(cè)面的一部分的方式設(shè)置；
電介質(zhì)層，其以覆蓋所述導(dǎo)電性氧化物層的一部分的方式設(shè)置；以及
第一金屬層，其以覆蓋所述導(dǎo)電性氧化物層與所述電介質(zhì)層的方式設(shè)置，
所述導(dǎo)電性氧化物層中的層疊于所述脊部的上表面的部分具有自所述電介質(zhì)層露出的露出部，所述露出部被所述第一金屬層覆蓋，
所述導(dǎo)電性氧化物層以覆蓋所述脊部的上表面、所述脊部的兩個側(cè)面以及位于所述脊部的下端兩側(cè)的所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分的方式設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，
所述導(dǎo)電性氧化物層中，以覆蓋位于所述脊部的下端兩側(cè)的所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分的方式設(shè)置的部分的寬度為1.5μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，
所述導(dǎo)電性氧化物層中，折射率大于所述電介質(zhì)層的折射率，
并以覆蓋位于所述脊部的下端兩側(cè)的所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分的方式設(shè)置的部分的寬度在所述脊部的上表面的寬度的1/5以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，
所述導(dǎo)電性氧化物層中，對于
設(shè)置于所述脊部的上表面的部分的層厚T1、
設(shè)置于所述脊部的側(cè)面的部分的層厚T2、以及
以覆蓋位于所述脊部的下端兩側(cè)的所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面的一部分的方式設(shè)置的部分的層厚T3而言，滿足T1T2或T1T3的關(guān)系式。
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