[發(fā)明專利]基于雪崩三極管級(jí)聯(lián)電路的輸出可調(diào)納秒脈沖源

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911207047.4
• 申請(qǐng)日: 2019-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN110880884B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 談?dòng)罟?/a>;魯遠(yuǎn)甫;陳良培;焦國華;章逸舟;劉鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H02M9/04
• 分類號(hào): H02M9/04;H03K3/57
• 代理公司: 深圳智趣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44486
• 代理人: 王策

1.一種脈沖輸出源控制電路，所述電路包括觸發(fā)部分、級(jí)聯(lián)充放電部分和負(fù)載部分，其特征在于，

所述觸發(fā)部分包括雪崩晶體管、可控晶體管、限流電阻和電容，其中，直流電源經(jīng)過限流電阻加到雪崩晶體管的集電極，所述可控晶體管與所述雪崩晶體管的基極連接，當(dāng)所述雪崩晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，所述直流電源能夠經(jīng)過限流電阻為所述電容充電；

所述級(jí)聯(lián)充放電部分包括多個(gè)依次級(jí)聯(lián)的單元，每個(gè)上述單元都包括一個(gè)雪崩晶體管、一個(gè)可控晶體管、限流電阻和充電電容；其中直流電源經(jīng)過限流電阻加到所述雪崩晶體管的集電極，當(dāng)所述雪崩晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，所述直流電源能夠經(jīng)過限流電阻為所述充電電容充電；所述雪崩晶體管的發(fā)射極接地；每個(gè)上述單元中的雪崩晶體管的基極連接與當(dāng)前所述單元緊鄰的上一個(gè)單元或者與當(dāng)前所述單元緊鄰的所述觸發(fā)部分中的充電電容；

每個(gè)上述單元中的所述可控晶體管的基極用于接收控制信號(hào)，所述可控晶體管的發(fā)射極連接當(dāng)前單元中雪崩晶體管的基極，所述可控晶體管的集電極連接與當(dāng)前所述單元緊鄰的下一個(gè)單元的雪崩晶體管的集電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖輸出源控制電路，其特征在于，所述可控晶體管為NPN型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖輸出源控制電路，其特征在于，所述可控晶體管與所述雪崩晶體管為同型號(hào)的晶體管或符合相同雪崩條件的晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖輸出源控制電路，其特征在于，所述可控晶體管的觸發(fā)方式為軟件觸發(fā)或者硬件觸發(fā)。

5.一種使用權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述脈沖輸出源控制電路的脈沖輸出源控制方法，其特征在于，當(dāng)所述觸發(fā)部分沒有接收到觸發(fā)信號(hào)(P0)時(shí)，所述直流電源為所述充電電容充電；當(dāng)所述觸發(fā)部分接收到所述觸發(fā)信號(hào)(P0)時(shí)，包括了多個(gè)所述充電電容的電容組開始放電以實(shí)現(xiàn)功率輸出；向一個(gè)、兩個(gè)或者多個(gè)所述單元中的所述可控晶體管的基極提供觸發(fā)信號(hào)以將該可控晶體管所在單元中的充電電容排除在所述電容組之外，從而實(shí)現(xiàn)輸出功率的調(diào)節(jié)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的脈沖輸出源控制方法，其特征在于，向所述可控晶體管的基極提供觸發(fā)信號(hào)具體為向相互間隔的兩個(gè)或多個(gè)單元的可控晶體管的基極提供觸發(fā)信號(hào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的脈沖輸出源控制方法，其特征在于，在向所述觸發(fā)部分提供觸發(fā)信號(hào)之前向所述可控晶體管的基極提供觸發(fā)信號(hào)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的脈沖輸出源控制方法，其特征在于，向所述觸發(fā)部分提供的觸發(fā)信號(hào)與向所述可控晶體管的基極提供的觸發(fā)信號(hào)相同。

9.一種脈沖輸出源系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)的控制電路包括權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的脈沖輸出源控制電路。