[發明專利]一種LED芯片的研磨拋光方法

在審

• 申請號: 201911206166.8
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN110871401A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 周智斌;汪延明;陳小雪
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/04;B24B29/02;B24B57/02
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，所述LED芯片包括襯底、緩沖層和發光結構層，所述襯底包括沿垂直于襯底所在平面的方向相對設置的第一表面和第二表面，所述緩沖層位于所述第一表面，所述發光結構層位于所述緩沖層遠離所述襯底的一側；所述方法包括：

將所述LED芯片固定在研磨盤上，通過砂輪對所述LED芯片的襯底的第二表面進行首次研磨，研磨厚度為200μm-450μm；

通過砂輪對所述襯底的第二表面進行第二次研磨，研磨厚度為60μm-100μm；

通過砂輪對所述襯底的第二表面進行第三次研磨，研磨厚度為20μm-50μm；

將研磨完成的所述LED芯片置于拋光墊上，通過含有鉆石粒徑為5μm-7μm的拋光液，對所述襯底的第二表面進行第一次拋光；

通過含有鉆石粒徑為2μm-4μm的拋光液，對所述襯底的第二表面進行第二次拋光，獲得厚度為120μm-230μm的LED芯片。

2.根據權利要求1所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，所述將所述LED芯片固定在研磨盤上，通過砂輪對所述LED芯片的襯底的第二表面進行首次研磨的步驟之前，還包括：

通過上蠟工藝，將蠟涂覆于所述發光結構層遠離襯底的一面；涂覆的蠟的厚度為1μm-3μm。

3.根據權利要求2所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，

對LED芯片的所述襯底的第二表面進行首次研磨時，研磨的進刀速度為V₁；對LED芯片的所述襯底的第二表面進行第二次研磨時，研磨的進刀速度為V₂；對LED芯片的所述襯底的第二表面進行第三次研磨時，研磨的進刀速度為V₃；其中，V₁>V₂>V₃。

4.根據權利要求3所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，對LED芯片的所述襯底的第二表面進行首次研磨時，研磨的進刀速度為0.7μm/s-1μm/s。

5.根據權利要求3所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，對LED芯片的所述襯底的第二表面進行第二次研磨時，研磨的進刀速度為0.4μm/s-0.6μm/s。

6.根據權利要求3所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，對LED芯片的所述襯底的第二表面進行第三次研磨時，研磨的進刀速度為0.2μm/s-0.3μm/s。

7.根據權利要求2所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，對所述襯底的第二表面進行第一次拋光時，拋光速度為K₁；對所述襯底的第二表面進行第二次拋光時，拋光速度為K₂；其中，K₁>K₂。

8.根據權利要求7所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，對所述襯底的第二表面進行第一次拋光時，拋光壓力為50kg-70kg，拋光速度為1.8μm/min-2.2μm/min，拋光時間為8min-12min。

9.根據權利要求7所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，對所述襯底的第二表面進行第二次拋光時，拋光壓力為50kg-70kg，拋光速度為1μm/min-1.8μm/min，拋光時間為8min-12min。

10.根據權利要求9所述的LED芯片的研磨拋光方法，其特征在于，通過含有鉆石粒徑為2μm-4μm的拋光液，對所述襯底的第二表面進行第二次拋光，獲得厚度為120μm-230μm的LED芯片的步驟之后，還包括：

通過背鍍、切割、裂片、測試、分選工藝，獲得制備完成的LED芯片。