[發明專利]制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201911204482.1
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN111261592B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 張筱君;沈冠傑
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包含：

在一基板上設置兩個或兩個以上鰭片，該些鰭片各自具有一初始鰭片輪廓；

在該基板上設置一隔離絕緣層，該隔離絕緣層包圍該兩個或兩個以上鰭片的下部部件；

氧化該兩個或兩個以上鰭片中的一第一鰭片及一第二鰭片以在該第一鰭片及該第二鰭片上生長一第一犧牲氧化物層；

蝕刻該第一鰭片及該第二鰭片的該第一犧牲氧化物層及該隔離絕緣層的一頂表面，以修整該第一鰭片及該第二鰭片且產生該第一鰭片及該第二鰭片的一次一鰭片輪廓；

重復該生長步驟及該蝕刻步驟以修整該第一鰭片及該第二鰭片，

其中該生長步驟及該蝕刻步驟針對該第一鰭片及該第二鰭片的一重復次數為不同的，

且其中重復該生長步驟及該蝕刻步驟使得該第一鰭片及該第二鰭片上自底部修整的量大于自頂部修整的量，而讓該第一鰭片及該第二鰭片的輪廓在緊接于該隔離絕緣層的側邊處包括一扭曲形狀；以及

在該兩個或兩個以上鰭片上方分別形成一柵極結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：

在該生長步驟及該蝕刻步驟之前，在該些鰭片的兩個末端部分之間的一柵極區中設置一虛設柵極結構，該虛設柵極結構包含一犧牲柵極介電質層及一犧牲柵極電極層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，針對該第一鰭片的重復次數為一。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該兩個或兩個以上鰭片包括一第三鰭片，該第三鰭片不經受該生長步驟及該蝕刻步驟且并不經修整，且該兩個或兩個以上鰭片包括一第四鰭片，該第四鰭片經受該生長步驟及該蝕刻步驟，但不經受重復該生長步驟及該蝕刻步驟。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，重復該生長步驟及該蝕刻步驟以修整該第一鰭片的步驟產生該第一鰭片的一最終鰭片輪廓，且該第一鰭片的該最終鰭片輪廓相較于該第一鰭片的該初始鰭片輪廓增大該半導體裝置的臨限電壓。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，每一該些鰭片的鰭片輪廓的參數包括該些鰭片的在一頂部指示位準的一第一寬度、該些鰭片的在一中間指示位準的一第二寬度及該些鰭片的在一底部指示位準的一第三寬度，且該第一鰭片的該最終鰭片輪廓的該第一寬度、該第二寬度或該第三寬度中的至少一者小于該第一鰭片的該初始鰭片輪廓的對應寬度。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該第一鰭片的自該第一鰭片的頂表面至設置于該第一鰭片周圍的該隔離絕緣層的該頂表面量測的高度實質上維持于該第一鰭片的該初始鰭片輪廓與該第一鰭片的該最終鰭片輪廓之間。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，該第一鰭片的該最終鰭片輪廓包括連接每一該些鰭片的側壁至該隔離絕緣層的該頂表面的該扭曲形狀，且該扭曲形狀包含階梯形狀或圓弧形狀中的一者。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，修整該第一鰭片的步驟提供該第一鰭片的該初始鰭片輪廓與該第一鰭片的該最終鰭片輪廓之間的該第一寬度的一第一差；該第一鰭片的該初始鰭片輪廓與該第一鰭片的該最終鰭片輪廓之間的該第二寬度的一第二差；及該第一鰭片的該初始鰭片輪廓與該第一鰭片的該最終鰭片輪廓之間的該第三寬度的一第三差，使得該第三差大于該第二差，且該第二差大于該第一差。

10.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包含：

在該生長步驟及該蝕刻步驟之前：

在該第一鰭片的末端部分處生長多個磊晶層以產生一源極區及一漏極區；

在該源極區及該漏極區的該些磊晶層上生長一層間介電質層；以及

移除該虛設柵極結構，借此暴露該柵極區，其中該生長步驟及該蝕刻步驟在該柵極區中執行。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：

濕式蝕刻該第一鰭片及該第二鰭片的該犧牲氧化物層以產生該次一鰭片輪廓。