[發明專利]降低閃存滯留錯誤的方法、裝置及固態硬盤

有效

• 申請號: 201911202913.0
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN110970082B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 張吉興;黃運新;李衛軍;楊亞飛
• 申請（專利權）人: 深圳大普微電子科技有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G11C29/50
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 江曉蘇

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種降低閃存滯留錯誤的方法、裝置及固態硬盤。該方法包括：獲取目標電壓；在對存儲器儲存單元寫入電壓時，將所述目標電壓作為所述寫入電壓寫入，其中，所述目標電壓為大于所述存儲器儲存單元的最優電壓，并且滿足所述閃存ECC校驗的糾錯能力范圍的電壓。該方法降低數據存儲出錯的概率，有效的延長了閃存的滯留時間，并間接的提升了閃存的品質。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種降低閃存滯留錯誤的方法、裝置及固態硬盤。

背景技術

閃存介質的存儲器儲存單元包括襯底、浮柵、控制柵、填充于襯底與浮柵之間的隧道氧化物以及位于浮柵與控制柵之間的填充氧化物，對控制柵施加電壓，使電子從襯底層穿過隧道氧化物進入浮柵，由于隧道氧化物和填充氧化物的絕緣特性，使得電子被保存在浮柵中，從而完成數據的存儲。

然而，若存儲器儲存單元長時間不通電，或者隨著使用時間的增加，隧道氧化物逐漸氧化，可能導致存儲于浮柵中的電子逃逸，如果電子逃逸很多，那么數據的存儲狀態就會意外改變，即發生滯留錯誤。其中，從數據寫入閃存到發生滯留錯誤的時間為滯留時間。如何延長該滯留時間，對提升閃存的品質有著重要意義。

發明內容

本發明實施例旨在提供一種降低閃存滯留錯誤的方法、裝置及固態硬盤，其能夠延長閃存的滯留時間。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供以下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供一種降低閃存滯留錯誤的方法，所述方法包括：

獲取目標電壓；

在對存儲器儲存單元寫入電壓時，將所述目標電壓作為所述寫入電壓寫入，其中，所述目標電壓為大于所述存儲器儲存單元的最優電壓，并且滿足所述閃存ECC校驗的糾錯能力范圍的電壓。

在一些實施例中，所述獲取目標電壓包括：

獲取所述存儲器儲存單元的最優電壓；

獲取所述存儲器儲存單元的偏移電壓；

將所述最優電壓和所述偏移電壓進行求和運算，以得到所述目標電壓。

在一些實施例中，所述獲取所述存儲器儲存單元的偏移電壓包括：

對所述偏移電壓進行初始化，得到初始電壓；

獲取預設的間隔電壓；

將所述初始電壓與所述間隔電壓進行求和運算，得到試驗電壓；

判斷所述試驗電壓是否滿足所述閃存的ECC校驗的糾錯能力范圍；

如果滿足，則將所述試驗電壓與所述間隔電壓進行求和運算得到新的試驗電壓，并判斷所述新的試驗電壓是否滿足所述閃存的ECC校驗的糾錯能力范圍，直至得到不滿足所述閃存的ECC校驗的糾錯能力范圍的試驗電壓；

如果不滿足，則將所述不滿足所述閃存的ECC校驗的糾錯能力范圍的試驗電壓減去所述間隔電壓，以得到所述偏移電壓。

在一些實施例中，所述判斷所述試驗電壓是否滿足所述閃存的ECC校驗的糾錯能力范圍包括：

獲取預設字線數據的pattern所對應的最優電壓；

根據所述試驗電壓和所述預設字線數據的pattern所對應的最優電壓獲取所述預設字線數據的寫入電壓；

根據所述寫入電壓寫入所述預設字線數據；

讀取經過ECC糾錯后的字線數據，判斷所述經過ECC糾錯后的字線數據的pattern是否與寫入的所述預設字線數據的pattern相同；

若是，則所述試驗電壓滿足所述閃存的ECC校驗的糾錯能力范圍；