[發明專利]LED測試頭、LED測試裝置及LED測試裝置的制備方法有效
| 申請號: | 201911202259.3 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN112885729B | 公開(公告)日: | 2022-12-13 |
| 發明(設計)人: | 王巖;董小彪;夏繼業;姚志博;李曉偉;郭劍;曹軒;王程功 | 申請(專利權)人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 測試 裝置 制備 方法 | ||
本發明實施例公開了一種LED測試頭、LED測試裝置及LED測試裝置的制備方法。一種LED測試頭,包括:柔性基底;測試電極,位于所述柔性基底上,所述測試電極用于向LED芯片提供測試信號;壓電層和位于所述壓電層表面的控制電極,所述控制電極用于控制所述壓電層形變;所述壓電層位于所述柔性基底遠離所述測試電極的一側。本發明實施例能夠實現對LED芯片發光性能簡單高效的測試。
技術領域
本發明實施例涉及測試技術,尤其涉及一種LED測試頭、LED測試裝置及LED測試裝置的制備方法。
背景技術
隨著顯示技術的發展,顯示面板所起到的作用越來越大,相應地對顯示面板的測試也變得尤為重要。
現有的顯示面板,如微LED(Light Emitting Diode,發光二極管)顯示面板,由于微LED芯片尺寸較小,需要巨量轉移以制備微LED顯示面板,然而,巨量轉移后微LED芯片可能損壞,并且每顆微LED芯片的參數,如電學以及光學參數等均可能不同,因此對微LED芯片的良率以及發光性能的測試顯得尤為重要,現有技術對此并沒有很好的解決方案。
發明內容
本發明提供一種LED測試頭、LED測試裝置及LED測試裝置的制備方法,以實現對LED芯片發光性能簡單高效的檢測。
第一方面,本發明實施例提供了一種LED測試頭,包括:柔性基底;測試電極,位于所述柔性基底上,所述測試電極用于向LED芯片提供測試信號;壓電層和位于所述壓電層表面的控制電極,所述控制電極用于控制所述壓電層形變;所述壓電層位于所述柔性基底遠離所述測試電極的一側。
可選的,所述柔性基底包裹所述壓電層及所述控制電極。
可選的,所述控制電極包括第一導電層和第二導電層;所述第一導電層位于所述壓電層靠近所述測試電極的一側,所述第二導電層位于所述壓電層遠離所述測試電極的一側。
可選的,所述控制電極包括第一控制電極和第二控制電極;所述第一控制電極和所述第二控制電極同層設置且位于所述壓電層的同一側;所述第一控制電極和所述第二控制電極間隔排布。
可選的,所述第一控制電極與所述第二控制電極為相互咬合的梳齒狀。
可選的,還包括金屬走線,所述金屬走線與所述測試電極電連接,沿垂直于所述柔性基底的方向,所述測試電極的厚度大于所述金屬走線的厚度。
第二方面,本發明實施還提供了一種LED測試裝置,包括測試基板以及多個如第一方面所述的LED測試頭,多個所述LED測試頭位于所述測試基板上且呈陣列排布;所述LED測試頭與所述測試基板通過連接部固定連接;所述LED測試頭與所述測試基板之間存在間隙;所述連接部位于所述LED測試頭上與所述測試電極相對的一端。
可選的,還包括綁定區,所述綁定區包括多個綁定焊盤;所述測試電極及所述控制電極均與對應的綁定焊盤電連接。
第三方面,本發明實施例還提供了一種LED測試裝置的制備方法,包括:提供測試基板;于所述測試基板上形成多個連接部;形成與所述連接部固定連接的LED測試頭;其中,所述LED測試頭包括柔性基底;測試電極,位于所述柔性基底上,所述測試電極用于向LED芯片提供測試信號;壓電層和位于所述壓電層表面的控制電極,所述控制電極用于控制所述壓電層形變;所述壓電層位于所述柔性基底遠離所述測試電極的一側。
可選的,形成與所述連接部固定連接的測試頭包括:形成與所述連接部同層的犧牲層;形成第一柔性基底;于所述第一柔性基底上形成所述壓電層及所述控制電極;形成第二柔性基底,所述第一柔性基底與所述第二柔性基底材料相同且組合成所述柔性基底;于所述柔性基底遠離所述測試基板的一側形成所述測試電極;腐蝕所述犧牲層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





