[發(fā)明專利]電磁反射膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911198770.0 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN112886267A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蘇陟;高強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01Q15/14 | 分類號: | H01Q15/14;H01Q15/02 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州市高*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁 反射 | ||
1.一種電磁反射膜,其特征在于,包括導(dǎo)電層(1)和設(shè)置于所述導(dǎo)電層(1)上的折射層(2),所述導(dǎo)電層(1)靠近所述折射層(2)一側(cè)的表面上設(shè)有凸出結(jié)構(gòu)(10),所述凸出結(jié)構(gòu)(10)包括多個間隔設(shè)置的凸部,所述折射層(2)用于使電磁波穿過所述折射層(2)時發(fā)生偏折。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁反射膜,其特征在于,沿平行于所述導(dǎo)電層(1)的表面的至少一個方向,相鄰?fù)共康拈g距為反射間距,多個所述反射間距呈中部大兩側(cè)小的趨勢設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁反射膜,其特征在于,多個所述凸部呈螺旋狀分布于所述導(dǎo)電層(1)的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁反射膜,其特征在于,所述凸出結(jié)構(gòu)(10)包括多個由所述凸部環(huán)形設(shè)置形成的結(jié)構(gòu)組,多個所述結(jié)構(gòu)組間隔設(shè)置且中心同心。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁反射膜,其特征在于,所述折射層(2)包括基板(20)和設(shè)置于所述基板(20)上的人造微結(jié)構(gòu)(21),所述人造微結(jié)構(gòu)(21)為至少一根金屬絲組成的平面結(jié)構(gòu)或立體結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁反射膜,其特征在于,所述人造微結(jié)構(gòu)(21)設(shè)置為“田”形或“工”形或“口”形或雪花形或金字塔形中的一種或多種的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁反射膜,其特征在于,所述折射層(2)包括多個子折射片,多個所述子折射片沿所述導(dǎo)電層(1)的垂直方向堆疊布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7中所述的電磁反射膜,其特征在于,沿所述子折射片的至少一個方向,所述子折射片的折射率由中部至兩側(cè)逐漸增大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁反射膜,其特征在于,所述導(dǎo)電層(1)與所述折射層(2)之間還設(shè)有膠膜層(3),所述凸出結(jié)構(gòu)(10)嵌設(shè)于所述膠膜層(3)內(nèi),所述折射層(2)與所述膠膜層(3)遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電層(1)一側(cè)的表面連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的電磁反射膜,其特征在于,所述凸部的形狀為尖角狀、顆粒狀、柱狀、塊狀、球狀中的一種或多種的組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣州方邦電子股份有限公司,未經(jīng)廣州方邦電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911198770.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





