[發明專利]一種EBL直寫高精度第三代半導體的方法有效
| 申請號： | 201911198744.8 | 申請日： | 2019-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN111029248B | 公開（公告）日： | 2023-05-23 |
| 發明（設計）人： | 鄒貴付;戴曉;汪瀟涵;蔣怡寧;高亮 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;G03F7/004;G03F7/20 |
| 代理公司： | 蘇州根號專利代理事務所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215137 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ebl 高精度 第三代 半導體 方法 | ||
1.一種EBL直寫高精度第三代半導體的方法，其特征在于，包括如下步驟：
（a）將金屬鹽和水溶性聚合物聚乙烯亞胺溶于水中，進行絡合反應，經超濾得到第一溶液；超濾的目的在于除去分子量小于3000?g/mol的成分，所述金屬鹽與所述聚乙烯亞胺的投料質量比為1:0.8-1.5；
（b）將麥芽糖加入所述第一溶液中，攪拌得到前驅體溶液；所述麥芽糖的投料質量與所述第一溶液的體積比為125-180:1mg/mL；
（c）將所述前驅體溶液旋涂于導電基底上，隨后將所述導電基底置于EBL艙內，進行EBL直寫；用水清洗所述導電基底，除去未固化部分，再在反應性氣體中退火，得到所需半導體的單層結構。
2.根據權利要求1所述EBL直寫高精度第三代半導體的方法，其特征在于：所述方法還包括在退火后，多次重復進行步驟（c），得到三維高精度疊層結構。
3.根據權利要求1所述EBL直寫高精度第三代半導體的方法，其特征在于：步驟（c）中，所述導電基底為導電硅基底，所述導電硅基底先經過食人魚溶液處理，然后用超純水超聲清洗三次，最后再用氮氣槍吹干。
4.根據權利要求1所述EBL直寫高精度第三代半導體的方法，其特征在于：步驟（c）中，EBL直寫的電壓為10-20?KV，電流為0.224?nA。
5.根據權利要求1所述EBL直寫高精度第三代半導體的方法，其特征在于：步驟（c）中，所述退火的溫度為400-800℃，反應時間為10-15?min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
