[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 201911197712.6
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN112218013A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 楊允熙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H04N5/374
• 分類號: H04N5/374;H04N5/378;H04N5/361
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種圖像傳感器，該圖像傳感器包括：

基板，該基板被配置為包括多個像素，每個像素包括檢測光的光電二極管；

多個深溝槽隔離DTI結構，所述多個DTI結構形成于所述基板中以將所述多個像素中的每一個與相鄰像素光學隔離；以及

透明電極層，該透明電極層布置在所述光電二極管上方并電連接至所述多個DTI結構。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素包括將入射光轉換為電信號的有源像素，并且其中，所述有源像素的所述透明電極被配置為向所述有源像素的所述DTI結構施加第一偏置。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素包括生成不是由于入射光引起的信號的光學黑像素，并且其中，所述光學黑像素的所述透明電極被配置為向所述有源像素的所述DTI結構施加第二偏置。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述DTI結構包括：

側壁，該側壁由折射率不同于所述基板的絕緣材料形成；以及

電極，該電極由填充所述側壁的內部區域的導電材料形成。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，該圖像傳感器還包括：

絕緣層，該絕緣層設置在所述基板和所述透明電極層之間。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述DTI結構通過穿過所述絕緣層的接觸電聯接至所述透明電極層。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述DTI是從所述基板的前側形成的前側DTI FDTI結構或從所述基板的后側形成的后側DTI BDTI。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素包括：

有源像素，該有源像素被配置為生成與入射光相對應的像素信號；以及

光學黑像素，該光學黑像素被配置為生成不是由于所述入射光引起的另一像素信號，并且

其中，施加到所述有源像素的透明電極層的第一偏置不同于施加到所述光學黑像素的透明電極層的第二偏置。

9.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中，所述第一偏置和所述第二偏置被預定為使所述有源像素和所述光學黑像素之間的暗電平信號的差最小化。

10.根據權利要求9所述的圖像傳感器，該圖像傳感器還包括：

一次性可編程OTP存儲器，該OTP存儲器被配置為存儲所述第一偏置的電壓值和所述第二偏置的電壓值。

11.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素包括有源像素，并且其中，所述有源像素還包括：

濾色器，該濾色器設置在所述光電二極管上方并且被配置為選擇性地允許具有特定波長的光信號通過；以及

微透鏡，該微透鏡設置在所述濾色器上方并且被配置為將入射光聚焦到所述光電二極管上。

12.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素包括光學黑像素，并且其中所述光學黑像素還包括：

遮光層，該遮光層設置在所述透明電極層上方并被配置為阻擋入射光。

13.一種圖像傳感器，該圖像傳感器包括：

有源像素，該有源像素包括至少一個光電二極管并被配置為具有深溝槽隔離DTI結構和第一透明電極層，所述DTI和所述第一透明電極層彼此聯接并被配置為接收用于沿著所述DTI結構累積電荷的第一偏置；以及

光學黑像素，該光學黑像素包括至少一個光電二極管并配置為具有所述DTI結構和第二透明電極層，所述DTI和所述第二透明電極層彼此聯接并被配置為接收用于沿著所述DTI結構累積電荷的第二偏置，

其中，所述第一偏置能夠獨立于所述第二偏置地進行調整。