[發(fā)明專利]一種過流保護(hù)電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911197301.7 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN110797837A | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王慶;陳友堅(jiān) | 申請(專利權(quán))人: | 鑒豐電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02H3/087 | 分類號: | H02H3/087;H02H7/085;H03K17/082 |
| 代理公司: | 33216 杭州之江專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 張費(fèi)微;張慧英 |
| 地址: | 321300 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光耦隔離電路 過流保護(hù) 軟件控制 硬件電路 電路 過流保護(hù)比較電路 電流采樣電路 高壓隔離電路 過流保護(hù)電路 過流保護(hù)信號 橋式整流電路 驅(qū)動 參數(shù)可調(diào) 電機(jī)負(fù)載 電氣干擾 功率驅(qū)動 光耦隔離 基準(zhǔn)電路 接口電路 快速響應(yīng) 采樣 輸出 靈活 保證 | ||
本發(fā)明涉及一種過流保護(hù)電路,包括:橋式整流電路、電機(jī)負(fù)載接口電路、MOS管輸出及電流采樣電路、采樣高壓隔離電路、MOS管驅(qū)動和保護(hù)電路、過流保護(hù)比較電路、MCU控制電路、過流保護(hù)基準(zhǔn)電路、光耦隔離電路I、光耦隔離電路II、光耦隔離電路III。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)功率驅(qū)動的過流保護(hù),結(jié)合了硬件電路和軟件控制的各自優(yōu)點(diǎn),既有硬件電路的快速響應(yīng)和動作可靠,又有軟件控制的靈活,參數(shù)可調(diào);MCU控制電路和MOS管驅(qū)動和保護(hù)電路之間的PWM信號和過流保護(hù)信號都采用光耦隔離,沒有電氣干擾,保證MCU電路的穩(wěn)定工作。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及保護(hù)電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種過流保護(hù)電路。
背景技術(shù)
在電力電子技術(shù)方面,新型的半導(dǎo)體功率器件因?yàn)楣β矢撸俣雀撸w積小,控制簡單而獲得廣泛的應(yīng)用。但是半導(dǎo)體器件也有其固有的缺點(diǎn),那就是過載能力差,抗沖擊能力不足,稍有過壓或過流就容易損壞。其中的過流保護(hù)是重點(diǎn),技術(shù)難度也較大。一般的過流保護(hù)電路有硬件電路,也有硬件加軟件的電路。硬件保護(hù)電路的優(yōu)點(diǎn)是實(shí)時(shí)性好,響應(yīng)速度快,但是功能簡單,一般是限流保護(hù)。硬件加軟件的保護(hù)電路由于軟件控制的參與,保護(hù)功能比較好,但是實(shí)時(shí)性稍差,總體的可靠性不如硬件電路。因此,設(shè)計(jì)一種過流保護(hù)電路是非常有必要的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為克服上述的不足之處,目的在于提供一種過流保護(hù)電路,本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)功率驅(qū)動的過流保護(hù),結(jié)合了硬件電路和軟件控制的各自優(yōu)點(diǎn),既有硬件電路的快速響應(yīng)和動作可靠,又有軟件控制的靈活,參數(shù)可調(diào);MCU控制電路和MOS管驅(qū)動和保護(hù)電路之間的PWM信號和過流保護(hù)信號都采用光耦隔離,沒有電氣干擾,保證MCU電路的穩(wěn)定工作。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案達(dá)到上述目的:一種過流保護(hù)電路,包括:橋式整流電路、電機(jī)負(fù)載接口電路、MOS管輸出及電流采樣電路、采樣高壓隔離電路、MOS管驅(qū)動和保護(hù)電路、過流保護(hù)比較電路、MCU控制電路、過流保護(hù)基準(zhǔn)電路、光耦隔離電路I、光耦隔離電路II、光耦隔離電路III;所述的橋式整流電路接交流電,經(jīng)橋式整流電路整流后輸入電機(jī)負(fù)載接口電路;電機(jī)負(fù)載接口電路分別與采樣高壓隔離電路、MOS管輸出及電流采樣電路連接;MOS管驅(qū)動和保護(hù)電路分別與采樣高壓隔離電路、MOS管輸出及電流采樣電路、過流保護(hù)比較電路、光耦隔離電路I相連接;過流保護(hù)比較電路、光耦隔離電路III、MCU控制電路依次相接;MCU控制電路、光耦隔離電路II、過流保護(hù)基準(zhǔn)電路、過流保護(hù)比較電路依次相接;所述的MCU控制電路通過光耦隔離電路I與MOS管驅(qū)動和保護(hù)電路相接。
作為優(yōu)選,所述的橋式整流電路包括保險(xiǎn)管F1、壓敏電阻ZR1、EMC電容C1、整流橋堆D1;所述的壓敏電阻ZR1一端、EMC電容C1一端、整流橋堆D1一端分別通過保險(xiǎn)管F1與交流火線接口相接,壓敏電阻ZR1另一端、EMC電容C1另一端、整流橋堆D1另一端分別與交流零線接口相接相接;所述的壓敏電阻ZR1、EMC電容C1、整流橋堆D1為并聯(lián)關(guān)系;保險(xiǎn)管F1起到短路保護(hù)作用,壓敏電阻ZR1和EMC電容C14用于增強(qiáng)電路的電磁兼容性;整流橋堆D1用于將交流電變成直流電。
作為優(yōu)選,所述的電機(jī)負(fù)載接口電路包括繼電器J1、繼電器J2、RS1M二極管D2、S14L二極管D3、S14L二極管D4;繼電器J1、繼電器J2控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)和停止;RS1M二極管D2、S14L二極管D3、S14L二極管D4為續(xù)流二極管,RS1M二極管D2給外接的直流電機(jī)續(xù)流,S14L二極管D3、S14L二極管D4分別給繼電器J1和繼電器J2續(xù)流,給感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)提供反向電流通路。
作為優(yōu)選,所述的MOS管輸出及電流采樣電路包括MOS管Q6、穩(wěn)壓管D7、電容C4、電阻R19、電阻R90;MOS管Q6的漏極連接電容C4和輸出端OUT,MOS管Q6柵極連接穩(wěn)壓管D7和電阻R19,MOS管Q6源極連接電阻R90;穩(wěn)壓管D7用于鉗位MOS管Q6的柵極電壓,保證驅(qū)動電壓不高于18V;電容C4為MOS管Q6漏極的開關(guān)緩沖電容;所述的電阻R90是主采樣電阻,MOS管Q6是輔助采樣電路,采樣信號從OUT端輸出。
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