[發明專利]復合材料及其制備方法和發光二極管

有效

• 申請號: 201911197122.3
• 申請日: 2019-11-29
• 公開（公告）號: CN112885981B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 宋音潔;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張楊梅

1.一種復合材料，其特征在于，包括：納米金屬氧化物和聚合物，所述聚合物含有若干羥基，部分或全部所述羥基以氫鍵連接所述納米金屬氧化物；

所述聚合物由至少兩個同種的聚合單體聚合而成，且所述聚合單體包含至少1個所述羥基；

所述至少兩個聚合單體的結構均如通式Ⅰ所示：

其中，R₁選自氫原子、鏈狀烷基或環狀烷基；

R₂選自鏈狀烷基或環狀烷基。

2.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于，所述至少兩個聚合單體均選自甲基丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥丙酯、丙烯酸羥乙酯和丙烯酸羥丙酯中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于，所述聚合物的結構如通式Ⅱ所示：

其中，n表示所述聚合物所含重復單元數目的平均值；

R'₁選自氫原子、鏈狀烷基或環狀烷基；

R'₂選自鏈狀烷基或環狀烷基。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的復合材料，其特征在于，所述納米金屬氧化物的氧空位與所述羥基的摩爾比為1:3-2:1；和/或

所述納米金屬氧化物為n型半導體。

5.一種復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供納米金屬氧化物、光敏劑和至少兩個同種的聚合單體，所述聚合單體包含至少1個羥基；將所述納米金屬氧化物、所述聚合單體和所述光敏劑于避光條件下進行混合，獲得混合液；

將所述混合液進行光固化反應，使得所述聚合單體聚合形成聚合物；

所述聚合單體的結構如通式Ⅰ所示：

其中，R₁選自氫原子、鏈狀烷基或環狀烷基；

R₂選自鏈狀烷基或環狀烷基。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述聚合單體選自甲基丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥丙酯、丙烯酸羥乙酯和丙烯酸羥丙酯中的至少一種。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在進行光固化反應的步驟中，進行紫外光固化處理和加熱處理。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述光敏劑的重量小于或等于所述納米金屬氧化物的0.5％。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物的氧空位與所述聚合單體的羥基的摩爾比為1:3-2:1；和/或

所述納米金屬氧化物為n型半導體。

10.根據權利要求5至8中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述光敏劑選自二苯甲酮、1-羥環己基苯酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(安息香雙甲醚)、4-異丙基硫雜蒽酮、2-甲基二苯甲酮、2,4-二乙基硫雜蒽-9-酮、4-氯二苯甲酮、4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘鎓六氟磷酸鹽、4,4'-雙(二甲氨基)二苯酮和4-(二甲氨基)苯甲酸2-乙基己酯中的一種。

11.一種發光二極管，包括陰極、陽極、設置在所述陰極和所述陽極之間的發光層、以及設置在所述陰極和所述發光層之間的電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層的材料包括：權利要求1至4中任一項所述的復合材料，或權利要求5至10中任一項所述的制備方法制得的復合材料。

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為30-200nm。