[發(fā)明專利]一種具有高出光率的鍺酸鉍閃爍晶體輻射探測器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911196811.2 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110716225A | 公開（公告）日： | 2020-01-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉娟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 劉娟 |
| 主分類號(hào)： | G01T1/202 | 分類號(hào)： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 34145 宿州智海知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 陳燕 |
| 地址： | 234000 安徽省宿州*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃爍晶體 附著力 輻射探測器 針對(duì)性設(shè)計(jì) 薄膜研究 測量效率 反光膜層 出光率 數(shù)據(jù)量 波段 出射 膜層 測量 分析 | ||
1.一種具有高出光率的鍺酸鉍閃爍晶體輻射探測器，包括閃爍晶體，光傳感器，前置放大電路和多道分析儀，閃爍晶體表面設(shè)置有反光層和增透層，反光層設(shè)置在除了閃爍光出射面以外的表面，增透層設(shè)置在閃爍光出射面，所述閃爍晶體為鍺酸鉍晶體，閃爍晶體和光傳感器設(shè)置在封裝殼體中，其特征在于：所述反光層為增反膜層，所述增反膜層對(duì)于所述閃爍晶體的閃爍光的反射率大于99%，膜層層數(shù)小于10層。
2.如權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于：所述增反膜層為多層薄膜，從閃爍晶體的接觸面開始膜層依次為鋁（Al），五氧化二鉭（Ta2O5），鋁（Al），五氧化二鉭（Ta2O5），二氧化硅（SiO2）。
3. 如權(quán)利要求2所述的輻射探測器，其特征在于：鋁（Al），五氧化二鉭（Ta2O5），鋁（Al），五氧化二鉭（Ta2O5），二氧化硅（SiO2）的膜厚分別為50 nm，20 nm，20 nm，30 nm，100nm。
4. 如權(quán)利要求2所述的輻射探測器，其特征在于： 所述多層薄膜是通過物理沉積的方式得到的。
5. 如權(quán)利要求4所述的輻射探測器，其特征在于： 所述物理沉積的方式具體為電子束蒸發(fā)。
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