[發(fā)明專(zhuān)利]使用低壓裝置的高壓調(diào)節(jié)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911195623.8
• 申請(qǐng)日: 2019-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111240388B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·德?tīng)柹?/a>;G·沙瑪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 恩智浦美國(guó)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種用于調(diào)節(jié)高壓源下至低壓輸出的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，所述電壓調(diào)節(jié)器包括：

第一NMOS(n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管和第二NMOS晶體管，其中所述第一NMOS晶體管的源極電極連接到負(fù)載電阻，所述負(fù)載電阻另一端連接到負(fù)電源電壓或接地，所述第一NMOS晶體管的漏極電極連接到所述第二NMOS晶體管的源極電極，并且所述第二NMOS晶體管的漏極電極耦合到所述高壓源，其中所述第一NMOS晶體管的所述源極電極提供所述低壓輸出；

電阻器網(wǎng)絡(luò)，所述電阻器網(wǎng)絡(luò)包括第一電阻器和第二電阻器，所述第一電阻器的一個(gè)端與所述第二電阻器的一個(gè)端連接，所述第一電阻器的另一端連接到接地，所述第二電阻器的另一端耦合到所述高壓源，其中所述第二NMOS晶體管的柵極電極連接到所述第一電阻器與所述第二電阻器之間的節(jié)點(diǎn)；以及

多級(jí)電荷泵，所述多級(jí)電荷泵具有連接到所述第一NMOS晶體管的柵極電極的第一輸出和連接到所述第二NMOS晶體管的所述柵極電極的第二輸出，所述多級(jí)電荷泵被配置成在第一輸出處產(chǎn)生第一偏置電壓并且在第二輸出處產(chǎn)生第二偏置電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，

所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管各自具有小于所述高壓源的最大擊穿電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，

所述高壓源被配置成在5V到10V的范圍內(nèi)變化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，

所述第一偏置電壓是4V，并且所述第二偏置電壓是6V。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，

所述低壓輸出被調(diào)節(jié)到3V。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

第三NMOS晶體管，其中所述第三NMOS晶體管的源極電極連接到所述第二NMOS晶體管的所述漏極電極，并且所述第三NMOS晶體管的漏極電極耦合到所述高壓源，其中所述第二NMOS晶體管的所述漏極電極通過(guò)所述第三NMOS晶體管耦合到所述高壓源；以及

第三電阻器，所述第三電阻器的一個(gè)端與所述第二電阻器串聯(lián)連接且另一端耦合到所述高壓源，其中所述第三NMOS晶體管的柵極電極連接到所述第二電阻器與所述第三電阻器之間的節(jié)點(diǎn)，并且所述第二電阻器通過(guò)所述第三電阻器耦合到所述高壓源。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，

所述高壓源被配置成在5V到15V的范圍內(nèi)變化。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電壓調(diào)節(jié)器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

第四NMOS晶體管，其中所述第四NMOS晶體管的源極電極連接到所述第三NMOS晶體管的所述漏極電極，并且所述第四NMOS晶體管的漏極電極耦合到所述高壓源，其中所述第三NMOS晶體管的所述漏極電極通過(guò)所述第四NMOS晶體管耦合到所述高壓源；以及

第四電阻器，所述第四電阻器的一個(gè)端與所述第三電阻器串聯(lián)連接且另一端耦合到所述高壓源，其中所述第四NMOS晶體管的柵極電極連接到所述第三電阻器與所述第四電阻器之間的節(jié)點(diǎn)，并且所述第三電阻器通過(guò)所述第四電阻器耦合到所述高壓源。