[發明專利]用于制造半導體裝置的方法和系統

在審

• 申請號: 201911195048.1
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111383953A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: A·M·貝利斯;C·L·貝利斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L25/065
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體制造系統，其包括：

激光器；

半導體組合件，其包含：

包括對由所述激光器發射的射束光學透明的材料的晶片，所述晶片配置成支撐包括多個半導體裸片的裸片堆疊；以及

在所述裸片堆疊下方沉積于所述晶片上且能由所述激光器發射的所述射束加熱的金屬膜；以及

配置成將熱和壓力施加到所述裸片堆疊的加熱的結合尖端，其中所述裸片堆疊被壓縮在所述加熱的結合尖端與所述金屬膜之間，且當所述金屬膜由從所述激光器發射的所述射束加熱時，所述多個半導體裸片通過由所述加熱的結合尖端和所述金屬膜發射的熱進行熱結合。

2.根據權利要求1所述的半導體制造系統，其中所述金屬膜包括在所述晶片的表面上的連續薄片。

3.根據權利要求1所述的半導體制造系統，其中所述金屬膜包括在所述晶片的表面上的多個不連續片段。

4.根據權利要求3所述的半導體制造系統，其中所述金屬膜的每一片段具有約等于所述裸片堆疊的寬度的寬度。

5.根據權利要求3所述的半導體制造系統，其中所述金屬膜的每一片段具有大于所述裸片堆疊的寬度的寬度。

6.根據權利要求3所述的半導體制造系統，其中所述金屬膜的每一片段具有小于所述裸片堆疊的寬度的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體制造系統，其中所述晶片包括硅，且其中由所述激光器發射的所述射束是紅外射束。

8.一種用于對裸片堆疊進行群結合的方法，其包括：

朝向沉積于承載所述裸片堆疊的晶片上的金屬膜導引由激光器發射的射束，所述裸片堆疊具有與所述金屬膜相鄰的底側和與所述底側相對的頂側，且所述金屬膜在所述裸片堆疊的至少一部分下方沉積于所述晶片上且配置成將熱傳遞到所述裸片堆疊的底部；以及

使用加熱的結合尖端將熱和壓力施加到所述裸片堆疊的所述頂側以將所述裸片堆疊壓抵到所述晶片上。

9.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括：

相對于所述晶片移動所述激光器和結合尖端；

朝向在第二裸片堆疊的至少一部分下方沉積于所述晶片上的金屬膜導引由所述激光器發射的所述射束；以及

使用所述加熱的結合尖端將熱和壓力施加到所述第二裸片堆疊的頂側以將所述第二裸片堆疊壓抵到所述晶片上。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括在相對于所述晶片移動所述激光器和所述結合尖端之前轉動所述激光器。

11.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括：

將所述金屬膜沉積于所述晶片上；以及

在沉積所述金屬膜之后，將所述裸片堆疊組裝于所述晶片上。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括將圖案蝕刻到所述金屬膜中以產生所述金屬膜的多個不連續片段。

13.根據權利要求8所述的方法，其中所述晶片包括硅，且其中由所述激光器發射的所述射束是紅外射束。

14.一種半導體制造系統，其包括：

配置成發射激光束以加熱沉積于晶片上的金屬膜的激光器，所述晶片支撐包含多個半導體裸片的裸片堆疊，且所述金屬膜在所述裸片堆疊的至少一部分下方沉積于所述晶片上；以及

加熱的結合尖端，其與所述激光器間隔開且配置成將熱和壓力施加到所述裸片堆疊的頂部以結合所述裸片堆疊中的所述多個半導體裸片。

15.根據權利要求14所述的半導體制造系統，其中所述金屬膜包括在所述晶片的表面上的連續薄片。