[發明專利]晶圓鍵合方法在審
| 申請號： | 201911194941.2 | 申請日： | 2019-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN111063620A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 吳佳宏 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓鍵合 方法 | ||
1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓和所述第二晶圓分別具有正面和背面；
在所述第一晶圓和所述第二晶圓的正面分別形成鍵合面；
對所述第一晶圓的背面進行預處理工藝或/和對所述第二晶圓的背面進行預處理工藝；
將所述第一晶圓的鍵合面與所述第二晶圓的鍵合面鍵合。
2.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述預處理工藝包括：
化學氣相沉積工藝形成一層薄膜；
清洗所述薄膜，減少薄膜表面的顆粒。
3.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述薄膜為氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜與氧化硅薄膜的組合。
4.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，清洗所述薄膜可以采用SC1，SC2，雙氧水，去離子水清洗液。
5.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，清洗所述薄膜的時間為1秒～600秒。
6.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述薄膜為100埃～50000埃。
7.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述薄膜的應力為-200Mpa～200Mpa。
8.如權利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，清洗所述薄膜時，所述第一晶圓或所述第二晶圓的正面通過惰性氣體進行保護。
9.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在所述第一晶圓和所述第二晶圓的正面分別形成鍵合面的方法包括：在所述第一晶圓的正面和所述第二晶圓的正面分別形成氧化物薄膜。
10.如權利要求9所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述氧化物的材料為氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
