[發明專利]缺陷檢測方法有效
| 申請號: | 201911194930.4 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110931378B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 李飛;王森 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種缺陷檢測方法,采用缺陷檢測機臺對晶圓上的晶粒進行缺陷檢測,其特征在于,包括:
獲取所述缺陷檢測機臺的掃描窗口沿第一方向的寬度a,以所述第一方向為掃描方向,獲取所述晶粒沿所述第一方向的寬度b;
利用公式b/a計算沿所述第一方向覆蓋所述晶粒需要的掃描窗口的數量,當a無法整除b且b/a的小數部分小于或等于第一設定值時,將所述晶粒沿所述第一方向的邊緣排除設定寬度;
以所述第一方向為掃描方向,對所述晶粒在所述第一方向上剩余的寬度進行缺陷檢測。
2.如權利要求1所述的缺陷檢測方法,其特征在于,根據如下公式計算出所述缺陷檢測機臺的掃描窗口沿所述第一方向的寬度a:
a=Pi*β;
其中,Pi為所述缺陷檢測機臺設定的像素的寬度,β為所述掃描窗口在所述第一方向上像素的個數。
3.如權利要求1或2所述的缺陷檢測方法,其特征在于,當a能夠整除b或b/a的小數部分大于或等于第二設定值時,以所述第一方向為掃描方向,對所述晶粒進行缺陷檢測。
4.如權利要求3所述的缺陷檢測方法,其特征在于,當b/a的小數部分介于所述第一設定值和所述第二設定值之間時,所述缺陷檢測方法還包括:
以第二方向為掃描方向,獲取所述晶粒沿所述第二方向的寬度c;
利用公式c/a計算沿所述第二方向覆蓋所述晶粒需要的掃描窗口的數量,當a無法整除c且c/a的小數部分小于或等于所述第一設定值時,將所述晶粒沿所述第二方向的邊緣排除所述設定寬度,以所述第二方向為掃描方向,對所述晶粒在所述第二方向上剩余的寬度進行缺陷檢測;當a能夠整除c或c/a的小數部分大于或等于所述第二設定值時,以所述第二方向為掃描方向,對所述晶粒進行缺陷檢測。
5.如權利要求4所述的缺陷檢測方法,其特征在于,當c/a的小數部分介于所述第一設定值和所述第二設定值之間時,調整所述缺陷檢測機臺設定的像素的寬度以至少調整所述缺陷檢測機臺的掃描窗口沿所述第一方向的寬度。
6.如權利要求4或5所述的缺陷檢測方法,其特征在于,所述第一方向與所述第二方向垂直。
7.如權利要求4所述的缺陷檢測方法,其特征在于,將所述晶粒沿所述第一方向的邊緣排除所述設定寬度包括:
將所述晶粒在所述第一方向上的一側邊緣排除所述設定寬度,或者將所述晶粒在所述第一方向上的兩側邊緣分別排除所述設定寬度的一半;
將所述晶粒沿所述第二方向的邊緣排除所述設定寬度包括:
將所述晶粒在所述第二方向上的一側邊緣排除所述設定寬度,或者將所述晶粒在所述第二方向上的兩側邊緣分別排除所述設定寬度的一半。
8.如權利要求4所述的缺陷檢測方法,其特征在于,利用如下公式計算出所述設定寬度m:
m=k*a;
其中,k為b/a的小數部分,或者k為c/a的小數部分。
9.如權利要求1或8所述的缺陷檢測方法,其特征在于,所述設定寬度小于或等于80微米。
10.如權利要求3所述的缺陷檢測方法,其特征在于,所述第一設定值小于或等于0.3,和/或所述第二設置值大于或等于0.7。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





