[發明專利]負極材料及包含其的電化學裝置和電子裝置

有效

• 申請號: 201911194865.5
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111146414B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 廖群超;崔航;謝遠森
• 申請（專利權）人: 寧德新能源科技有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/583;H01M10/0525
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種負極材料，其包括硅基顆粒和石墨顆粒，其中所述石墨顆粒的平均球形度為A，所述硅基顆粒的平均球形度為B，A和B滿足：0＜B-A≤0.3；

其中所述硅基顆粒的平均球形度為0.8-1.0；所述石墨顆粒的平均球形度為0.5-0.8；所述硅基顆粒的D_V50的范圍為2.0μm-9μm；所述石墨顆粒的粒徑Dv50為10-90μm；所述Dv50為材料累計體積百分數達到50％時所對應的粒徑；所述球形度是指顆粒最短直徑與最長直徑的比值。

2.根據權利要求1所述的負極材料，其中所述硅基顆粒在X射線衍射圖案中2θ歸屬于28.0°-29.0°范圍內最高強度數值為I₂，歸屬于20.5°-21.5°范圍內最高強度數值為I₁，其中0I₂/I₁≤1。

3.根據權利要求1所述的負極材料，其中所述硅基顆粒的粒徑分布滿足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6，所述Dn10為材料累計數量百分數達到10％時所對應的粒徑。

4.根據權利要求1所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

5.根據權利要求1所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

6.根據權利要求2所述的負極材料，其中所述硅基顆粒的粒徑分布滿足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6，所述Dn10為材料累計數量百分數達到10％時所對應的粒徑。

7.根據權利要求2所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

8.根據權利要求2所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

9.根據權利要求3所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

10.根據權利要求3所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

11.根據權利要求4所述的負極材料，其中所述硅基顆粒進一步包括聚合物層，所述聚合物層包覆所述氧化物MeO_y層的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

12.根據權利要求6所述的負極材料，其中所述硅基顆粒包括硅復合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。