[發明專利]濕式工作臺的清潔系統以及方法

在審

• 申請號: 201911194718.8
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111243989A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 陳衍吉;楊志深;黃正義
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B9/08
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

1.一種濕式工作臺的清潔系統，包括：

一容器，構造成容納一化學溶液并且接收一半導體基板；以及

一空間填充裝置，構造成可被該容器接收并且至少部分浸入該化學溶液中。

2.如權利要求1所述的濕式工作臺的清潔系統，其中該空間填充裝置包括從該空間填充裝置的一外側壁突出的一側面突出元件。

3.如權利要求1所述的濕式工作臺的清潔系統，其中該空間填充裝置包括一可拆卸上部分、一側壁部分以及由該側壁部分限定并且通過該可拆卸上部分而可進入的一中空腔室。

4.如權利要求2所述的濕式工作臺的清潔系統，其中該側面突出元件是條形的。

5.如權利要求1所述的濕式工作臺的清潔系統，其中該空間填充裝置包括一底部突出元件。

6.如權利要求1所述的濕式工作臺的清潔系統，其中該空間填充裝置包括在兩個相鄰外表面之間的一邊緣處的一圓形平滑過渡。

7.如權利要求1所述的濕式工作臺的清潔系統，其中該空間填充裝置包括聚四氟乙烯、石英、聚醚醚酮或不銹鋼中的一種或多種的一表面材料。

8.一種濕式工作臺的清潔系統，包括：

一濕式工作臺裝置，具有一化學槽，該化學槽具有一內部空間以接收保持半導體晶圓的一晶圓匣，該內部空間具有一第一空間體積；

一液體化學溶液，被包含在該化學槽中；以及

一體積物體，具有浸入該液體化學溶液內的一第一部分，該第一部分占據該內部空間的該第一空間體積的至少一半。

9.一種濕式工作臺的清潔方法，包括：

將一半導體晶圓浸入被包含在一槽中的一第一化學溶液；

從該槽移除該第一化學溶液；

用去離子水清潔該槽；

用該去離子水清潔該槽后，在該槽內定位一空間填充裝置；以及

在該空間填充裝置維持在該槽內時，使用一第二化學溶液清洗該槽。

10.如權利要求9所述的濕式工作臺的清潔方法，其中該空間填充裝置在該槽內的該定位包括將該空間填充裝置安置在該槽的一底部表面上，或是將該空間填充裝置懸掛在該槽的該底部表面上方。