[發(fā)明專利]負(fù)極及包含其的電化學(xué)裝置和電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911193195.5
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN110931742B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖群超;崔航;謝遠(yuǎn)森
• 申請（專利權(quán)）人: 寧德新能源科技有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/587;H01M10/0525
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種負(fù)極，其包括硅基顆粒和石墨顆粒，其中距離所述硅基顆粒邊緣的垂直距離為0-6μm范圍內(nèi)存在的石墨顆粒數(shù)為N，基于所述硅基顆粒的總數(shù)量計，大于50％的硅基顆粒滿足：6≤N≤17。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒在X射線衍射圖案中2θ歸屬于28.0°-29.0°范圍內(nèi)最高強(qiáng)度數(shù)值為I₂，歸屬于20.5°-21.5°范圍內(nèi)最高強(qiáng)度數(shù)值為I₁，其中0I₂/I₁≤1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒的粒徑分布滿足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒的粒徑分布滿足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒進(jìn)一步包括聚合物層，所述聚合物層包覆所述氧化物MeO_y層的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和氧化物MeO_y層，所述氧化物MeO_y層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一種，其中y為0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y層包含碳材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒包括硅復(fù)合物基體和聚合物層，所述聚合物層包覆所述硅復(fù)合物基體的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的負(fù)極，其中所述硅基顆粒進(jìn)一步包括聚合物層，所述聚合物層包覆所述氧化物MeOy層的至少一部分，并且所述聚合物層包含碳材料。