[發(fā)明專利]一種顯示面板、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911191964.8 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110890408B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王東方;王慶賀 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,具有多個亞像素;所述顯示面板包括:
陣列基板,包括襯底基板以及位于所述襯底基板上陣列排布的多個像素電路;一個所述像素電路位于一個所述亞像素內(nèi);
多個發(fā)光器件,位于所述像素電路遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);所述發(fā)光器件的出光側(cè)靠近所述襯底基板;一個所述發(fā)光器件位于一個所述亞像素內(nèi),且與所述像素電路耦接;所述像素電路包括存儲電容;
其中,一個像素單元至少包括三個用于發(fā)出三原色的所述亞像素;所述像素單元中發(fā)光波長最短的第一亞像素中的存儲電容在所述襯底基板上的垂直投影,與所述第一亞像素中的發(fā)光器件在所述襯底基板上的垂直投影不重疊;其余亞像素中的存儲電容在所述襯底基板上的垂直投影,位于除了所述第一亞像素以外的任意一個亞像素中的發(fā)光器件,在所述襯底基板上的垂直投影范圍內(nèi);
所述像素單元具有非發(fā)光區(qū)、第一發(fā)光區(qū)以及第二發(fā)光區(qū);所述第一發(fā)光區(qū)位于所述非發(fā)光區(qū)和所述第二發(fā)光區(qū)之間;所述像素電路還包括與所述存儲電容耦接的至少一個晶體管;所述晶體管位于所述非發(fā)光區(qū);
所述像素單元中一個所述亞像素的發(fā)光器件位于所述第一發(fā)光區(qū)內(nèi),其余所述亞像素的發(fā)光器件位于所述第二發(fā)光區(qū);
所述像素單元還包括第二亞像素以及第三亞像素;所述第一亞像素中的發(fā)光器件和所述第二亞像素中的發(fā)光器件位于所述第二發(fā)光區(qū);所述第三亞像素中的發(fā)光器件位于所述第一發(fā)光區(qū);
至少所述第一亞像素中的存儲電容、所述第三亞像素中的存儲電容位于所述第一發(fā)光區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第三亞像素用于發(fā)出白色光線;
所述像素單元還包括第四亞像素;所述第一亞像素、所述第二亞像素以及所述第四亞像素用于發(fā)出三原色;所述第四亞像素中的發(fā)光器件位于所述第二發(fā)光區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二亞像素中的存儲電容、所述第四亞像素中的存儲電容位于所述第一發(fā)光區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一亞像素中的發(fā)光器件用于發(fā)出藍(lán)色光線;
或者,
所述第一亞像素中的發(fā)光器件用于發(fā)出白色光線;所述顯示面板還包括位于所述發(fā)光器件靠近所述襯底基板一側(cè)的彩色濾光層;所述彩色濾光層對應(yīng)所述第一亞像素的位置用于通過藍(lán)色光線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述存儲電容包括異層且絕緣的第一透明電極層和第二透明電極層;所述第一透明電極層靠近所述襯底基板;
所述晶體管的有源層包括金屬氧化物透明材料;所述存儲電容的第一透明電極層與所述晶體管的有源層同層同材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述存儲電容還包括第三透明電極層;所述第三透明電極層位于所述第一透明電極層遠(yuǎn)離所述第二透明電極層的一側(cè),且與所述第一透明電極層絕緣設(shè)置;
所述陣列基板還包括多個遮光層;一個遮光層位于一個所述晶體管朝向所述襯底基板的一側(cè);所述遮光層包括異層設(shè)置的透明導(dǎo)電層和金屬薄膜層;所述第三透明電極層與所述透明導(dǎo)電層同層同材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





