[發明專利]用于等離子體處理設備的下電極組件和等離子體處理設備

有效

• 申請號: 201911191612.2
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN112863983B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 吳磊;魏強;葉如彬;洪韜;張一川;廉曉芳;黃允文
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張妍;周乃鑫

1.一種用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，包含：

基座，其設置在等離子體處理設備的真空反應腔內；

靜電吸盤，其設置在所述的基座上，靜電吸盤用于承載待處理基片；

冷卻管道，其設置在所述的基座內，所述的冷卻管道的兩端引出真空反應腔后與冷卻液儲存設備相連，所述冷卻液儲存設備內存儲絕緣液體；

射頻高壓導體部件，所述射頻高壓導體部件包含：位于所述基座下方的設備板、與設備板連接的射頻桿以及與射頻桿連接的匹配器，所述冷卻管道兩端的連接接頭固定在所述設備板上；

射頻電阻結構，其一端與射頻高壓導體部件連接，另一端接地，所述射頻電阻結構的直流電阻小于等于100MΩ，射頻阻抗大于等于100KΩ。

2.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述射頻電阻結構的一端連接設備板，另一端接地。

3.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述射頻電阻結構位于匹配器內，所述的射頻電阻結構的一端與射頻桿連接，另一端與匹配器的外殼相連。

4.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述的下電極組件還包含：包圍射頻桿的隔離塊，所述射頻電阻結構位于所述隔離塊內，所述射頻電阻結構位于匹配器外，一端與射頻桿連接，另一端接地。

5.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述射頻電阻結構僅包含射頻電阻。

6.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述的射頻電阻結構包含與射頻高壓導體部件連接的射頻電阻和兩端分別與射頻電阻和地連接的直流電阻；所述射頻電阻的阻值為100KΩ～

10MΩ，所述直流電阻的阻值為10MΩ～100MΩ。

7.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述的下電極組件還包含：射頻功率源，與所述匹配器連接。

8.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述靜電吸盤為可控溫靜電吸盤時，所述的下電極組件還包含：與所述可控溫靜電吸盤連接的交流源；位于所述交流源與可控溫靜電吸盤之間的射頻濾波器；位于所述射頻濾波器內的射頻隔離磁環。

9.如權利要求1所述的用于等離子體處理設備的下電極組件，其特征在于，所述的下電極組件還包含：位于所述設備板下方的絕緣環；所述絕緣環的材料為抗靜電材料，作為射頻電阻。

10.一種等離子體處理設備，其特征在于，包含：

真空反應腔；

進氣裝置，其設置在所述的真空反應腔的頂部，用于向所述的真空反應腔內提供反應氣體；

如權利要求1-9中任意一項所述的下電極組件。

11.如權利要求10所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述的等離子體處理設備為電容耦合等離子體處理設備或者是電感耦合等離子體處理設備。