[發明專利]一種高溫透明柔性的電加熱膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201911191038.0 | 申請日： | 2019-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN110944418B | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發明（設計）人： | 宋偉杰;王肇肇;李佳;黃金華;楊曄 | 申請（專利權）人： | 寧波材料所杭州灣研究院;中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H05B3/84 | 分類號： | H05B3/84 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 劉誠午 |
| 地址： | 315336 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高溫 透明 柔性 加熱 及其 制備 方法 | ||
1.一種高溫透明柔性的電加熱膜，包括自下而上依次設置的柔性透明基底層、底部介電層、金屬層和頂部介電層，其特征在于，所述的底部介電層和頂部介電層為金屬氧化物；所述的金屬層為SnO2摻雜的Ag層，所述的金屬層的厚度為6~12nm，所述的金屬層中Sn原子占金屬原子的百分比為1%~10%。
2.根據權利要求1所述的高溫透明柔性的電加熱膜，其特征在于，所述的金屬層中Sn原子占金屬原子的百分比為2%~4%。
3.根據權利要求1所述的高溫透明柔性的電加熱膜，其特征在于，所述的底部介電層和頂部介電層選自AZO、ATO、ZTO、SnOx中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的高溫透明柔性的電加熱膜，其特征在于，所述的柔性透明基底層為PI、PET、PC或PEF。
5.根據權利要求1所述的高溫透明柔性的電加熱膜，其特征在于，所述的底部介電層和頂部介電層的厚度均為30~50nm。
6.根據權利要求5所述的高溫透明柔性的電加熱膜，其特征在于，所述的底部介電層和頂部介電層的厚度均為35~45nm，所述的金屬層的厚度為9~11nm。
7.根據權利要求1~6任一項所述的電加熱膜的制備方法，其特征在于，包括：在柔性透明基底層上，先利用金屬氧化物靶材在室溫下射頻磁控濺射沉積底部介電層，再在室溫下利用Ag靶材和SnO2靶材通過直流磁控濺射沉積超薄金屬層，最后再利用金屬氧化物靶材在室溫下射頻磁控濺射沉積頂部介電層后得到。
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