[發(fā)明專利]III族氮化物器件以及制造用于III族氮化物基器件的歐姆接觸部的方法

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• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111244026A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A.比爾納;J.羅波爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L29/20;H01L29/45;H01L29/41
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳曉;申屠偉進

1.制造用于III族氮化物基器件的歐姆接觸部的方法，包括：

將金屬層沉積到被定位在III族氮化物層上的介電層上以及介電層中的開口中；

通過如下來形成經(jīng)平面化的表面：

使所述金屬層結(jié)構(gòu)化以形成T形接觸部，所述T形接觸部具有被定位在開口中的垂直部分以及被定位在介電層上的水平部分，其中介電層的區(qū)被暴露以限定所述T形接觸部的水平部分的橫向伸展；

在所述金屬層與III族氮化物層之間形成歐姆接觸部；

將停止層沉積到所述T形接觸部的外表面上以及介電層的所暴露的部分上；

逐步地移除所述T形接觸部的水平部分并且形成與被定位在介電層上的停止層大體上共面的導(dǎo)電表面；

移除停止層以產(chǎn)生經(jīng)平面化的表面，所述經(jīng)平面化的表面包括介電層以及導(dǎo)電表面的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使金屬層結(jié)構(gòu)化包括：

在金屬層上形成光致抗蝕劑層；

使光致抗蝕劑層結(jié)構(gòu)化；

移除從光致抗蝕劑層所暴露的金屬層的部分以暴露介電層的區(qū)；

移除光致抗蝕劑層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其中逐步地移除T形接觸部的水平部分包括化學(xué)機械拋光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中之一所述的方法，其中所述金屬層包括多層金屬結(jié)構(gòu)，其中所述多層金屬結(jié)構(gòu)的最外層是導(dǎo)電阻擋層，其中所述導(dǎo)電表面具有中央部分和外圍部分，所述中央部分包括導(dǎo)電阻擋層，所述外圍部分包括歐姆接觸材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在逐步移除了水平部分之后，停止層被布置在中央部分上，并且從停止層暴露外圍區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或權(quán)利要求5所述的方法，其中所述導(dǎo)電阻擋層是TiN，并且歐姆接觸材料包括鋁或鋁銅或鈦鋁合金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中之一所述的方法，此外包括：

在介電層上形成光致抗蝕劑層；

在光致抗蝕劑層中形成開口；

移除在光致抗蝕劑層中的開口中所暴露的介電層，以及暴露III族氮化物層以在介電層中形成開口；

移除光致抗蝕劑層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中之一所述的方法，此外包括在經(jīng)平面化的表面上形成另外的介電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，此外包括：

在所述另外的介電層上形成第二光致抗蝕劑層；

在與導(dǎo)電表面橫向相鄰的光致抗蝕劑層中形成第二開口并且暴露所述另外的介電層的第二部分；

移除所述另外的介電層并且暴露III族氮化物層的一部分；

將導(dǎo)電材料插入到所述第二開口中并且形成與III族氮化物層的柵極接觸部。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的方法，此外包括：

在所述另外的介電層中形成第三開口并且暴露導(dǎo)電表面的一部分，以及

將導(dǎo)電材料沉積到所述第三開口中以形成導(dǎo)電通孔以及將導(dǎo)電材料沉積到所述另外的介電層上以形成用于歐姆接觸部的接觸焊盤。

11.一種III族氮化物器件，包括：

多層III族氮化物結(jié)構(gòu)；

第一歐姆接觸部，其被布置在多層III族氮化物器件結(jié)構(gòu)上并且形成與多層III族氮化物器件結(jié)構(gòu)的歐姆接觸部；

其中所述第一歐姆接觸部包括：

具有導(dǎo)電表面的基底部分，所述導(dǎo)電表面包括外圍部分和中央部分，所述外圍部分和所述中央部分大體上共面并且具有不同的組成；

被定位在導(dǎo)電表面的中央部分上的導(dǎo)電通孔；

被定位在導(dǎo)電通孔上的接觸焊盤。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的III族氮化物器件，此外包括被布置在III族氮化物層上的介電層，其中所述導(dǎo)電通孔從介電層的上表面延伸到導(dǎo)電表面，所述接觸焊盤被布置在介電層的上表面上，并且至少導(dǎo)電表面的外圍部分被介電層覆蓋。