[發(fā)明專利]一種觸控面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911190233.1 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110989863B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張歡喜;馬洋洋;周倩;王磊;謝明;孔祥建 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 楊曉萍 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 面板 顯示裝置 | ||
1.一種觸控面板,其特征在于,包括襯底基板、位于所述襯底基板一側(cè)的觸控電極和光學補償結(jié)構(gòu);其中:
所述觸控電極包括多條交錯且絕緣設(shè)置的第一觸控電極和第二觸控電極;其中,所述第一觸控電極包括多個沿第一方向間隔排列的第一電極塊和第一連接電極,且相鄰兩個所述第一電極塊通過所述第一連接電極電連接;所述第二觸控電極包括多個沿第二方向間隔排列的第二電極塊和跨橋結(jié)構(gòu),且相鄰兩個所述第二電極塊通過所述跨橋結(jié)構(gòu)電連接,且所述第二電極塊與所述跨橋結(jié)構(gòu)異層設(shè)置,所述跨橋結(jié)構(gòu)位于所述第二電極塊與所述襯底基板之間;
所述光學補償結(jié)構(gòu)在所述襯底基板的正投影至少覆蓋第一區(qū)域,所述第一區(qū)域為相鄰所述電極塊之間的間隙所對應的區(qū)域;其中,所述光學補償結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述觸控電極的第一無機絕緣層以及位于所述第一無機絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)且覆蓋各所述第一區(qū)域的虛擬電極,所述虛擬電極與所述電極塊材料相同且厚度相同,所述虛擬電極在所述襯底基板的正投影覆蓋所述第一區(qū)域;
所述光學補償結(jié)構(gòu)用于使所述第一區(qū)域反射的光的能量與所述電極塊所對應的區(qū)域反射的光的能量的差異小于10%。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述光學補償結(jié)構(gòu)包括填充于相鄰所述電極塊之間的間隙的遮蔽層。
3.如權(quán)利要求2所述的觸控面板,其特征在于,所述遮蔽層的材料為吸光材料。
4.如權(quán)利要求3所述的觸控面板,其特征在于,所述遮蔽層的材料為非晶硅材料。
5.如權(quán)利要求2所述的觸控面板,其特征在于,所述遮蔽層背離所述襯底基板一側(cè)有多個凸起,以使入射光在所述遮蔽層背離所述襯底基板一側(cè)發(fā)生漫反射。
6.如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述第一無機絕緣層的材料為氮化硅或者氧化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述第一無機絕緣層的厚度的取值范圍為50nm~200nm。
8.如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述跨橋結(jié)構(gòu)的材料為金屬材料,且所述跨橋結(jié)構(gòu)位于所述電極塊與所述襯底基板之間;
所述電極塊與所述跨橋結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有第二無機絕緣層,相鄰兩個所述第二電極塊通過貫穿所述第二無機絕緣層的過孔電連接。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括顯示面板和位于所述顯示面板出光側(cè)的如權(quán)利要求1-8任一項所述的觸控面板。
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