[發明專利]一種利用熱載流子增強硅基光熱電效應光電轉換器

有效

• 申請號: 201911189551.6
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN110854213B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 劉黎明;易子川;遲鋒;楊健君;王紅航;吳艷花
• 申請（專利權）人: 電子科技大學中山學院
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/04
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231
• 代理人: 舒夢來

1.一種利用熱載流子增強硅基光熱電效應光電轉換器，其特征在于：包括絕緣基底層(1)，所述絕緣基底層(1)的上方設置有第一電極(2)、第二電極(3)、硅基底層(4)，所述硅基底層(4)位于第一電極(2)與第二電極(3)之間，所述硅基底層(4)與第一電極(2)電接觸，所述硅基底層(4)與第二電極(3)電接觸，所述硅基底層(4)的上方設置有多個陷光槽(5)，所述陷光槽(5)的側壁上設置有多個等離激元共振結構(6)；多個等離激元共振結構(6)的橫向尺寸小于2倍硅基底層(4)空間電荷區的寬度；

所述陷光槽(5)分為左斜壁(7)和右斜壁(8)，所述左斜壁(7)上設置有多個等離激元共振結構(6)，所述右斜壁(8)設置有多個等離激元共振結構(6)；所述左斜壁(7)上設置的多個等離激元共振結構(6)為周期排列，所述右斜壁(8)設置的多個等離激元共振結構(6)同樣為周期排列；所述左斜壁(7)上設置的多個等離激元共振結構(6)的周期與所述右斜壁(8)設置的多個等離激元共振結構(6)的周期相同或者不同。

2.如權利要求1所述的一種利用熱載流子增強硅基光熱電效應光電轉換器，其特征在于：所述陷光槽(5)為周期排列。

3.如權利要求1所述的一種利用熱載流子增強硅基光熱電效應光電轉換器，其特征在于：所述陷光槽(5)為倒三角形。

4.如權利要求1所述的一種利用熱載流子增強硅基光熱電效應光電轉換器，其特征在于：所述等離激元共振結構(6)是由金或銀制成。

5.如權利要求1所述的一種利用熱載流子增強硅基光熱電效應光電轉換器，其特征在于：所述絕緣基底層(1)是由氮化鎵制成。