[發明專利]一種Si/MoS2 在審
| 申請號： | 201911185522.2 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110875150A | 公開（公告）日： | 2020-03-10 |
| 發明（設計）人： | 鄭佳紅;牛世峰;張潤梅 | 申請（專利權）人： | 長安大學 |
| 主分類號： | H01G11/24 | 分類號： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 郭瑤 |
| 地址： | 710064*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 si mos base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種Si/MoS2電極材料制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一，制備Si量子點；
步驟二，將鉬酸銨和尿素混合，加入Si量子點，作為一份混合液；
步驟三，將混合液進行水熱反應，降至室溫后進行離心清洗，對沉淀物進行干燥，制備出Si/MoS2復合材料。
2.根據權利要求1所述的一種Si/MoS2電極材料制備方法，其特征在于，步驟一中，Si量子點的制備方法如下：
將3.75mL抗壞血酸鈉溶液和1mL N-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷加入到12mL去離子水中，室溫條件下攪拌均勻，獲得一份Si量子點。
3.根據權利要求2所述的一種Si/MoS2電極材料制備方法，其特征在于，抗壞血酸鈉溶液為0.1g的抗壞血酸鈉溶于10mL去離子水中配制成溶液。
4.根據權利要求1所述的一種Si/MoS2電極材料制備方法，其特征在于，步驟二中，每一份混合液中包括0.7062g鉬酸銨、1.3049g尿素混合和1～5mLSi量子點。
5.根據權利要求1所述的一種Si/MoS2電極材料制備方法，其特征在于，步驟二中，對混合液進行均勻化處理。
6.根據權利要求1所述的一種Si/MoS2電極材料制備方法，其特征在于，步驟三中，水熱反應在180℃中進行，反應時間為18h。
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