[發明專利]試驗用晶圓及其制造方法

在審

• 申請號: 201911185027.1
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN111243973A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 河西繁
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L29/06;H01L21/18
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明涉及一種試驗用晶圓及其制造方法。提供能夠模擬實際器件的發熱的試驗用晶圓及其制造方法。試驗用晶圓用于模擬晶圓上的器件的發熱，該試驗用晶圓具有硅晶圓以及與硅晶圓的表面接合的硅加熱器。

技術領域

本發明涉及一種試驗用晶圓及其制造方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，在半導體晶圓(下面，簡稱為晶圓。)上形成大量的具有規定的電路圖案的器件(IC芯片)。對所形成的器件進行電特性等的檢查，并區分為良品和次品。例如在各器件被分割前的晶圓的狀態下使用檢查裝置來進行器件的檢查。

器件的檢查裝置具備具有大量的針狀的探針的探針卡、用于載置晶圓的載置臺以及試驗儀(參照專利文獻1)。該檢查裝置使探針卡的各探針接觸與器件的電極對應地設置的電極焊盤、焊料凸塊(bump)，將來自器件的信號傳遞至試驗儀來檢查器件的電特性。另外，關于專利文獻1的檢查裝置，在檢查器件的電特性時，為了重現該器件的安裝環境，通過載置臺內的制冷劑流路、加熱器來控制載置臺的溫度。

近來，在IC中，導向為高速化、高集成化，因此，在晶圓上形成的器件的發熱量增大，其吸熱方法成為重要的技術。在器件的檢查裝置中，在驗證吸熱方法的基礎上，如何能夠模擬器件的實際的發熱狀況成為重要的技術。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平10-135315號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供能夠模擬實際器件的發熱的試驗用晶圓及其制造方法。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式所涉及的試驗用晶圓為用于模擬晶圓上的器件的發熱的試驗用晶圓，具有硅晶圓以及與所述硅晶圓的表面接合的硅加熱器。

發明的效果

根據本公開，能夠提供能夠模擬實際器件的發熱的試驗用晶圓及其制造方法。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式所涉及的試驗用晶圓的截面圖。

圖2是表示試驗用晶圓的制造方法的一例的示意圖。

圖3是表示在檢查裝置中使用的、能夠加熱/冷卻的載物臺裝置的一例的截面圖。

圖4是表示試驗用晶圓的具體例的俯視圖。

圖5是表示試驗用晶圓的其它的具體例的俯視圖。

具體實施方式

下面，參照附圖來說明實施方式。

背景和概要

在用于檢查晶圓上的器件的檢查裝置中，要求模擬實際的器件的實際的發熱狀況。另外，也需要掌握實際器件在實際動作時為怎樣的發熱狀況。

因此，如果存在用于模擬晶圓上的實際器件的發熱狀況的試驗用(治具用)晶圓則較為便利，但是并不存在這樣的試驗用晶圓。另外，當與實際的器件同樣地使用半導體光刻技術來模擬器件時，需要花費數千萬日元左右的費用以及半年左右的制作期間。因此，本發明人針對能夠模擬實際器件的發熱狀況的試驗用晶圓進行了研究。