[發(fā)明專利]一種瞬態(tài)電壓抑制二極管及電子產(chǎn)品在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911185005.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110854206A | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李登輝;許成宗;劉凱哲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/861 | 分類號(hào)： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)自*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 瞬態(tài) 電壓 抑制 二極管 電子產(chǎn)品 | ||
1.一種瞬態(tài)電壓抑制二極管，包括：襯底，設(shè)置在所述襯底上方的外延層和設(shè)置在外延層內(nèi)的阱區(qū)，所述阱區(qū)的摻雜類型和所述外延層的摻雜類型相反，其特征在于，所述阱區(qū)的外圍設(shè)置有第一溝槽，所述第一溝槽的外圍設(shè)置有第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽貫穿所述外延層并延伸至所述襯底，所述第一溝槽填充有絕緣材料，所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料；或
所述阱區(qū)的內(nèi)側(cè)周圍設(shè)置第一溝槽，所述第一溝槽貫穿所述阱區(qū)和所述外延層并延伸至所述襯底，所述阱區(qū)的外圍設(shè)置有所述第二溝槽，所述第二溝槽貫穿所述外延層并延伸至所述襯底，所述第一溝槽填充有絕緣材料，所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料。
2.如權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述第二溝槽由多個(gè)條狀溝槽組成，多個(gè)所述條狀溝槽寬度相同或不同，多個(gè)所述條狀溝槽之間的間距相同或不同。
3.如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述第一溝槽中填充的絕緣材料為二氧化硅，所述第二溝槽中填充的導(dǎo)電材料為金屬。
4.如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述阱區(qū)為N型摻雜，所述外延層為P型摻雜，所述襯底為N型摻雜:
或，所述阱區(qū)為P型摻雜，所述外延層為N型摻雜，所述襯底為P型摻雜:
或，阱區(qū)為N型摻雜，所述外延層為P型摻雜，所述襯底為P型摻雜:
或所述阱區(qū)為P型摻雜，所述外延層為N型摻雜，所述襯底為N型摻雜。
5.一種瞬態(tài)電壓抑制二極管，包括，半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層的正面設(shè)置有第一阱區(qū)和所述半導(dǎo)體層的背面設(shè)置有第二阱區(qū)，所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)的摻雜類型相同或不同，其特征在于，所述第一阱區(qū)的外圍設(shè)置有第一溝槽，所述第一溝槽的外圍設(shè)置有第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽貫穿所述半導(dǎo)體層并延伸至所述第二阱區(qū)，所述第一溝槽填充有絕緣材料，所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料；或，
所述第一阱區(qū)的內(nèi)側(cè)周圍設(shè)置有第一溝槽，所述第一溝槽貫穿所述第一阱區(qū)和所述半導(dǎo)體層并延伸至所述第二阱區(qū)，所述第一阱區(qū)的外圍設(shè)置有所述第二溝槽，所述第二溝槽貫穿所述半導(dǎo)體層并延伸至所述第二阱區(qū)，所述第一溝槽填充有絕緣材料，所述第二溝槽填充有導(dǎo)電材料。
6.如權(quán)利要求5所述的瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述第二溝槽由多個(gè)條狀溝槽組成，多個(gè)所述條狀溝槽寬度相同或不同，多個(gè)所述條狀溝槽之間的間距相同或不同。
7.如權(quán)利要求5-6任一項(xiàng)所述瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述第一溝槽中填充的絕緣材料為二氧化硅，所述第二溝槽中填充的導(dǎo)電材料為金屬。
8.如權(quán)利要求5-6任一項(xiàng)所述瞬態(tài)電壓抑制二極管，其特征在于，所述第一阱區(qū)為N型摻雜，所述半導(dǎo)體層為P型摻雜，所述第二阱區(qū)為N摻雜；
或，所述第一阱區(qū)為P型摻雜，所述半導(dǎo)體層為N型摻雜，所述第二阱區(qū)為P摻雜；
或，所述第一阱區(qū)為N型摻雜，所述半導(dǎo)體層為P型摻雜，所述第二阱區(qū)為P摻雜；
或，所述第一阱區(qū)為P型摻雜，所述半導(dǎo)體層為N型摻雜，所述第二阱區(qū)為N摻雜；
9.一種電子產(chǎn)品，其特征在于，所述電子產(chǎn)品包括如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)瞬態(tài)電壓抑制二極管：
或，所述電子產(chǎn)品包括如權(quán)利要求5-8任一項(xiàng)瞬態(tài)電壓抑制二極管。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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