[發明專利]晶圓邊緣缺陷的檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 201911183927.2
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN110854035A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 馮亞麗
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種晶圓邊緣缺陷的檢測方法，其特征在于，所述晶圓邊緣缺陷的檢測方法包括：

提供待檢測晶圓，預設需進行檢測的檢測區；

對所述檢測區進行掃描，得到掃描圖像；

對所述掃描圖像進行數據處理，以得到所述檢測區的反射率；

將所述反射率與一閾值進行比較，確定所述檢測區是否存在缺陷。

2.如權利要求1所述的晶圓邊緣缺陷的檢測方法，其特征在于，對所述掃描圖像進行數據處理包括：

對所述掃描圖像做近似矩形處理，得到一矩形掃描圖像；

將所述矩形掃描圖像分成M個單元，每個所述單元包括N個像素，對N個所述像素進行數據處理，得到檢測區特征數據庫，其中，M>1，N>1。

3.如權利要求2所述的晶圓邊緣缺陷的檢測方法，其特征在于，N個所述像素呈陣列排布，以至少2*2個所述像素為一組進行所述數據處理。

4.如權利要求3所述的晶圓邊緣缺陷的檢測方法，其特征在于，所述數據處理采用的公式為：(A_X+A_X+1+B_X+B_X+1)/4＝a_X，其中，A和B表示同一所述單元內相鄰的兩列所述像素的灰度值，a_X表示所述檢測區特征數據庫內的對應數據，X≥1。

5.如權利要求1所述的晶圓邊緣缺陷的檢測方法，其特征在于，將所述反射率與一閾值進行比較，確定所述檢測區是否存在缺陷包括：若所述反射率不在所述閾值內，則判斷為所述檢測區存在缺陷。

6.如權利要求5所述的晶圓邊緣缺陷的檢測方法，其特征在于，在判斷為所述檢測區存在缺陷后，所述晶圓邊緣缺陷的檢測方法還包括：對所述待檢測晶圓進行洗邊工藝。

7.一種晶圓邊緣缺陷的檢測裝置，其特征在于，所述晶圓邊緣缺陷的檢測裝置包括：

檢測模塊，用于對待檢測晶圓的檢測區進行掃描以得到掃描圖像；

數據處理模塊，用于對掃描圖像進行處理以得到所述檢測區的反射率；

缺陷判定模塊，用于將所述反射率與一閾值進行比較，確定所述檢測區是否存在缺陷。

8.如權利要求7所述晶圓邊緣缺陷的檢測裝置，其特征在于，所述數據處理模塊用于對掃描圖像進行處理以得到所述檢測區的反射率包括：

對所述掃描圖像做近似矩形處理，得到一矩形掃描圖像；

將所述矩形掃描圖像分成M個單元，每個單元包括N個像素，對N個所述像素進行數據處理，得到檢測區特征數據庫，其中，M>1，N>1。

9.如權利要求8所述的晶圓邊緣缺陷的檢測裝置，其特征在于，N個所述像素呈陣列排布，以至少2*2個所述像素為一組進行所述數據處理。

10.如權利要求9所述的晶圓邊緣缺陷的檢測裝置，其特征在于，所述數據處理采用的公式為：(A_X+A_X+1+B_X+B_X+1)/4＝a_X，其中，A和B表示一個所述單元內相鄰的兩列所述像素的灰度值，a_X表示所述檢測區特征數據庫內的對應數據，X≥1。