[發明專利]阻變存儲器及其形成方法在審
| 申請號： | 201911183890.3 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110854266A | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發明（設計）人： | 田偉思;鄒榮;官郭沁;王奇偉;陳昊瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 及其 形成 方法 | ||
1.一種阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供襯底，所述襯底中形成有底部電極，并且所述底部電極的表面露出于所述襯底表面；
在所述底部電極的表面形成插層；
在所述插層的表面形成電阻轉變層；以及，
在所述電阻轉變層的表面形成頂部電極。
2.如權利要求1所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，通過沉積的方法在所述底部電極的表面形成所述插層。
3.如權利要求1所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述插層的材料與所述底部電極的材料相同。
4.如權利要求3所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述插層和所述底部電極的材料為氮化鉭。
5.如權利要求1所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述電阻轉變層包括阻變材料層和位于所述阻變材料層上的阻擋層，所述阻變材料層覆蓋所述插層的表面。
6.如權利要求5所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述阻變材料層的材料為氧化鉭。
7.如權利要求5所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為鉭。
8.如權利要求1所述的阻變存儲器的形成方法，其特征在于，所述阻變存儲器的形成方法還包括：在所述底部電極的表面形成插層之前，對所述底部電極進行還原處理。
9.一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲器包括：
襯底，所述襯底中形成有底部電極；
所述底部電極上形成有插層；
所述插層上形成有電阻轉變層；
所述電阻轉變層上形成有頂部電極。
10.如權利要求9所述的阻變存儲器，其特征在于，所述電阻轉變層包括覆蓋所述插層的阻變材料層和覆蓋所述阻變材料層的阻擋層。
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